对于1/4砖应用，混合转换器在功率传输和功率密度之间取得了良好的平衡。典型的固定比率开关电容在高功率密度和低输出功率水平下非常高效。例如，LTC7820在28 mm × 28 mm PCB面积上进行48 V至24 V转换时，效率高达99%（图4）。然而，这种设计只能支持大约300 W到600 W的输出功率。
 
要在不降低效率的情况下实现更高的输出功率，需要考虑再并联一个开关电容转换器和更多的陶瓷电容，因而需要更大的PCB面积。这会极大地影响功率密度，并且24 V至12 V DC转换需要第二级电路。为此，我们可以采用另一种开关电容拓扑，利用Dickson转换器来实现单级4:1降压比。此拓扑需要用到额外的开关，但也存在同样的问题，即超过600 W时需要更多陶瓷电容，当应用需要更大输出电流时会影响可扩展性。

 
稳压混合转换器是更适合1 kW功率级别的拓扑，因为它能在有限的PCB面积下提供更高输出电流。开关电容部分将转换主输入电压线，而不处理大部分电流转换。主输出电流转换由降压部分承担，飞跨电容尺寸和电感尺寸得以减小。对于1/4砖外形，固定尺寸为58.4 mm × 36.8 mm，因而PCB面积至关重要。图5显示了1/4砖尺寸的四相混合转换器的参考元件布置。
 
LTC7822是一款高性能、两相混合式降压DC-DC控制器，专为高密度电源应用而设计。它所采用的拓扑如图6所示，包含两相，但大大减少了每瓦所需的电容元件数，因为一相的飞跨电容身兼两职：(1) 用作其互补相的电容分压器，(2) 用作其自身相的主储能元件之一。如此一来，每相所需的中间电容数量大大减少。这款器件的单芯片功率输出可达1 kW，大于相同面积下任何典型开关电容拓扑的输出功率。

 
当奇数FET（M1、M3、M5、M7）导通时，互补FET（M2、M4、M6、M8）关断。在开关切换过程中，C_FLY1由输入电压供电，并通过VMID节点与C_FLY2串联。这两个飞跨电容应具有相同的容值，以确保平均电压相等，从而降低电荷再分配时电流尖峰造成的损耗。
 
谨慎选择MOSFET也很重要，务必确保底部FET（M4、M8）在安全工作区域(SoA)内工作。由于两个网状电流通过公共MID节点共享，底部FET所承受的最大电流约为平均相电流的1.5倍。举个例子：L2断电时，电流将流过M5。但是，C_FLY2也通过M3向L1提供部分能量，因此其返回路径也将经过M5。电流流向参见图7。

 
如图8所示，对于两相耦合电感设计，电流纹波在50%占空比时最小。请注意，在不同占空比下，耦合电感的优势并不相同。相数不同，电流纹波降幅最大化的陷波位置也不同。因此，对于1/4砖设计，考虑输入电压范围和目标输出电压非常重要。例如，降压比为4:1的混合转换器应使用两相设计，以使耦合电感的电流纹波降幅最大化，但降压比为8:1时，由于25%占空比下的陷波，设计人员可能需要考虑使用单个四相耦合电感设计。图9为单个四相耦合电感的示例。

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