搭载罗姆EcoGaN™ Power Stage IC的小型高效AC适配器被全球电竞品牌MSI采用!
时间:2025-11-06 17:56来源:
摘要:中国上海,2025年11月6日——全球知名半导体制造商罗姆(总部位于日本京都市)今日宣布,其EcoGaN™PowerStageIC已应用于包括游
中国上海,2025年11月6日——全球知名半导体制造商罗姆(总部位于日本京都市)今日宣布,其EcoGaN™ Power Stage IC已应用于包括游戏笔记本电脑在内的MSI(微星)产品的AC适配器。
这款AC适配器由全球领先的电源制造商台达开发,采用EcoGaN™ Power Stage IC“BM3G005MUV-LB”,具备高速电源切换、低导通电阻等特色,结合台达先进的电源管理技术,与以往适配器相比,大幅缩减体积同时提升能效。

通过搭载EcoGaN™ Power Stage IC,台达为MSI设计的适配器不仅提高供电瓦数,还可在峰值状态下维持一小段时间的高输出功率,即使在要求高性能的电竞高负载环境下,也能实现稳定的电力供应。
近年来,随着游戏笔记本处理能力的提升,其搭载的GPU和CPU的性能也越来越高。这使得功耗也随之增大,要求AC适配器既要提供稳定支撑这种高负荷运算处理的大功率,又要满足用户对便携性日益增长的需求,因此在提升性能的同时缩小体积已成为当务之急。
另一方面,具有低导通电阻和高速开关特性的GaN器件因其有助于电源的高效率工作和外围元器件(如电源电路中使用的电感器等)的小型化而备受瞩目。罗姆的Power Stage IC集650V GaN HEMT、栅极驱动器、保护功能及外围元器件于一体,仅需替换以往的Si MOSFET即可更大程度地激发出GaN HEMT的性能。
台达边际信息科技电源事业部总经理 林政毅表示:“结合台达最先进的电源方案和罗姆的EcoGaN™ Power Stage IC技术优势,我们成功地满足游戏笔记本AC适配器对大功率供电、能效优化及小型化的需求,并被全球知名的电竞品牌MSI采用。罗姆在GaN的技术领域拥有许多优势,也是我们长期合作的重要伙伴。我们期待未来持续透过与其技术合作,为客户提供更多新世代的高效电源方案。”
罗姆 LSI开发本部 功率GaN解决方案开发部 统括课长 名手 智表示:“台达与罗姆在电源系统领域已合作多年。此次合作成果是台达多年积累的电源开发技术和罗姆的功率元器件开发制造技术、模拟电源技术的深度融合,很高兴能够被MSI的产品采用。未来,我们不仅致力于在游戏笔记本领域,还将致力于在服务器、工业设备、汽车等更广泛的领域为电源的小型化和效率提升贡献力量。”
<关于Power Stage IC>
罗姆的GaN HEMT Power Stage IC可为需要高功率密度和效率的各种电力电子系统提供理想的解决方案。该产品集下一代功率器件GaN HEMT和为了更大程度地激发GaN HEMT性能而优化的栅极驱动器于一体,支持2.5V~30V的宽输入电压范围,可以与各种控制器IC结合使用。这些特点和优势使其能够取代超级结MOSFET等传统的分立功率开关。
<什么是EcoGaN™>

EcoGaN™是通过更大程度地发挥GaN的性能,助力应用产品进一步节能和小型化的罗姆GaN器件,该系列产品有助于应用产品进一步降低功耗、实现外围元器件的小型化、减少设计工时和元器件数量等。
・EcoGaN™是ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。
这款AC适配器由全球领先的电源制造商台达开发,采用EcoGaN™ Power Stage IC“BM3G005MUV-LB”,具备高速电源切换、低导通电阻等特色,结合台达先进的电源管理技术,与以往适配器相比,大幅缩减体积同时提升能效。

通过搭载EcoGaN™ Power Stage IC,台达为MSI设计的适配器不仅提高供电瓦数,还可在峰值状态下维持一小段时间的高输出功率,即使在要求高性能的电竞高负载环境下,也能实现稳定的电力供应。
近年来,随着游戏笔记本处理能力的提升,其搭载的GPU和CPU的性能也越来越高。这使得功耗也随之增大,要求AC适配器既要提供稳定支撑这种高负荷运算处理的大功率,又要满足用户对便携性日益增长的需求,因此在提升性能的同时缩小体积已成为当务之急。
另一方面,具有低导通电阻和高速开关特性的GaN器件因其有助于电源的高效率工作和外围元器件(如电源电路中使用的电感器等)的小型化而备受瞩目。罗姆的Power Stage IC集650V GaN HEMT、栅极驱动器、保护功能及外围元器件于一体,仅需替换以往的Si MOSFET即可更大程度地激发出GaN HEMT的性能。
台达边际信息科技电源事业部总经理 林政毅表示:“结合台达最先进的电源方案和罗姆的EcoGaN™ Power Stage IC技术优势,我们成功地满足游戏笔记本AC适配器对大功率供电、能效优化及小型化的需求,并被全球知名的电竞品牌MSI采用。罗姆在GaN的技术领域拥有许多优势,也是我们长期合作的重要伙伴。我们期待未来持续透过与其技术合作,为客户提供更多新世代的高效电源方案。”
罗姆 LSI开发本部 功率GaN解决方案开发部 统括课长 名手 智表示:“台达与罗姆在电源系统领域已合作多年。此次合作成果是台达多年积累的电源开发技术和罗姆的功率元器件开发制造技术、模拟电源技术的深度融合,很高兴能够被MSI的产品采用。未来,我们不仅致力于在游戏笔记本领域,还将致力于在服务器、工业设备、汽车等更广泛的领域为电源的小型化和效率提升贡献力量。”
<关于Power Stage IC>
罗姆的GaN HEMT Power Stage IC可为需要高功率密度和效率的各种电力电子系统提供理想的解决方案。该产品集下一代功率器件GaN HEMT和为了更大程度地激发GaN HEMT性能而优化的栅极驱动器于一体,支持2.5V~30V的宽输入电压范围,可以与各种控制器IC结合使用。这些特点和优势使其能够取代超级结MOSFET等传统的分立功率开关。
<什么是EcoGaN™>

EcoGaN™是通过更大程度地发挥GaN的性能,助力应用产品进一步节能和小型化的罗姆GaN器件,该系列产品有助于应用产品进一步降低功耗、实现外围元器件的小型化、减少设计工时和元器件数量等。
・EcoGaN™是ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。
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