图示1-大联大友尚基于ST产品的11KW AC/DC高压电源和3KW DC/DC高压转低压系统方案的展示板图

图示2-大联大友尚基于ST产品的11KW AC/DC高压电源和3KW DC/DC高压转低压系统方案的场景应用

Stellar E1系列MCU是ST推出的新一代高性能微控制器，旨在满足新型宽禁带功率技术、SiC和GaN所需要的增强数字控制和高性能模拟要求。该MCU基于双核的2×32位Arm Cortex-M7内核，具有双精度FPU、L1缓存和DSP指令，运行频率高达300MHz，适用于电源转换以及牵引逆变器电机控制等应用。在功能方面，该MCU集成硬件密码加速器、HSM（硬件安全模块）和OTA（空中升级）支持，可满足先进半导体设备的信息安全需求。
 
STGAP2SIC单栅极驱动器专为驱动SiC MOSFET而优化设计。它采用紧凑、高低压全隔离的拓扑结构，集成欠压锁定、热关断等高级保护功能，有助于提升系统的可靠性与效率。除此之外，在功率器件方面，本方案均采用ST旗下第三代1200V碳化硅MOSFET，从而实现了更高效的能源转换。
 

图示3-大联大友尚基于ST产品的11KW AC/DC高压电源和3KW DC/DC高压转低压系统方案的方块图

本方案可为客户提供高压系统的硬件与软件学习和验证，其中，11KW的800V高压输出可提供高脉冲电压的稳定高压电源，同时3KW DC/DC高压转低压系统具备200A的大电流，可满足半导体设备上12V到16V低压输出大电流需求。
 
核心技术优势：
● 11KW高压输出电源架构为三相图腾柱PFC+CLLC；
● 输入电流Ithd<5%，PF > 98%；
● 11KW高压输出为500Vdc至800Vdc可调；
● 11KW高压输出的最大电流为15A；
● 11KW高压输出的峰值效率为96.5%；
● 3KW高压转低压电源架构为相移全桥；
● 3KW高压转低压输出为12Vdc至16Vdc可调；
● 3KW高压转低压的最大电流为200A；
● 3KW高压转低压的峰值效率为95.2%；
● 系统全系列使用ST第三代1200V碳化硅MOSFET；
● 系统使用Arm Cortex-M7双核300MHz算力的MCU，满足先进制程半导体高压设备所需；
● 系统MCU带有M0的独立功能安全模块HSM；
● 支持OTA升级；
● 全隔离驱动方案。
 
方案规格：
11KW AC/DC高压输出：
● 输入电压：304Vac-456Vac；
● 输出电压：500Vdc-900Vdc；
● 输出电流：15A Idc最大值；
● 输出功率：11KW最大值；
● 峰值效率：96.5%。
 
3KW AC/AC高压/低压：
● 输入电压：800Vdc；
● 输出电压：12Vdc-16Vdc/200A Idc最大值；
● 输出功率：3KW最大值；
● 峰值效率：95.2%。
 
本篇新闻主要来源自大大通：
ST应用于AI芯片先进制程半导体工厂高压设备11KW AC/DC高压电源+3KW DC/DC高压转低压解决方案
 
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