顶规稀缺双面散热 SGT MOSFET，紧凑型高功率应用设计首选
 


产品推荐
 
l 新一代创新型PDFN5060双面散热封装 
l 业界领先的散热性能，更大电流承载能力 
l 40~100V SGT MOSFET, 导通阻抗低至0.57mΩ 
l 芯片内核特色冗余设计，为汽车高安全而生 
l 自主创新IDOS专利技术，性能里程碑式突破，FOM最优 
 

 
 
【百舸争流，勇于争先】——该系列SGT MOSFET采用PDFN5060双面散热封装，实现开关损耗与导通损耗的双重降低，显著提升了高频开关效率。顶部开窗封装结构进一步优化了器件至散热器的热传导路径，有效降低热阻，电流承载能力更强，满足紧凑小型化、超低功耗、强散热的客户应用需求，成为大功率、大电流应用领域技术国产化标杆。
 
PDFN5060双面散热封装采用厚铜Clip技术，通过创新双面散热设计，Rthja优化3.5倍。在标准PDFN5060尺寸下实现卓越的电热传导性能，同时降低寄生电感和封装电阻。优化引脚设计, 提升焊接良率和AOI检测效率，为高功率应用提供兼具低功耗和高性能的解决方案。

 
 
双面散热封装设计，与传统PDFN5060相比，显示更优的Thermal能力
l Rthjc_Bottom 改善10% 
l Rthjc_Top 改善将近23% 
l Rthja 改善将近3.5倍 
 

 
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产品特点
 
l 卓越的品质因数（FOMs） 
l 业界领先低导通电阻     
l 高可靠性、高品质    
l 先进的厚铜clip技术     
l 封装兼容传统 PDFN5060 & LFPAK5060   
l 热性能改善将近3.5倍 
 
典型应用
 
l 负载开关 
l 高性能开关电源 
l 机器人关节电机驱动 
l 无人机电调 
 
成功案例
 

 
 
测试中，将两颗SMT10T02AHPDCQ焊接至原搭载 I* 公司器件的测试板上，电源60V / 40A 触发过流保护时，该 MOSFET 仍稳定耐受，且持续工作电流达 40A，极限负载能力优异。强劲的产品力不仅彻底赢得研发负责人的信服，更成功点亮了航空级氢燃料无人机领域的应用前景。
 
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以上产品目前已正式投入量产供货并开始派样品。如有需求，请联系中晶新源销售团队或邮件至sales@sinesemi.com。
 
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【中晶新源】成立于 2017 年，注册资金5,000万元。由国内顶尖晶圆厂重点投资、成建制欧美大厂核心团队引领，聚焦研制国际领先功率芯片，主要从事高效能高可靠功率半导体的研发设计、先进功率封装研发制造、市场销售和应用服务。攻坚关键核心技术与国产空白突破，致力于全产业链资源垂直整合，协同国内顶尖晶圆厂，打造技术领先、安全供应链、高效交付、成本优势及匠心品质，对标国际一线 IDM 大厂。
 
产品聚焦新一代车规级 SGT 全电压系列 (对标世界第一，中低压Si-MOSFET最前沿技术)、高压 SJ-MOSFET 650V 系列 (对标世界第一, 高压Si-MOSFET领先主流技术)、小信号及新一代整流器 SGR、车规级 MOSFET、IGBT 单管及模块(对标世界前二大)，并扩展至车规级 IGBT 、功率 IC、宽禁带半导体 GaN 和 SiC MOSFET 等。广泛应用于高速增长的新能源汽车、光储充、AI 服务器、机器人、电动工具、无人飞机、高频电源、泛工业领域等。
 
公司坚持长期主义，坚持高品质，持续耕耘 “核心技术” 与 “长期价值”，通过 “技术领先” 、“强供应链支持”、“差异化布局”、“高质量服务” 四轮驱动竞争优势与护城河，主打质量信赖、高难度、高附加值、专业化、定制化能力与一站式方案优势，用高品质为客户创造“独特” 价值。

 

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