中晶新源 SMT12T01AHTL 荣获 “2025半导体分立器件最佳产品奖”_资讯频道

中晶新源 SMT12T01AHTL 荣获 “2025半导体分立器件最佳产品奖”

时间：2025-07-02 13:12来源：

摘要：6月22日，由世界半导体大会组委会、世界集成电路协会共同主办的【2025世界半导体大会国际峰会】在南京国际博览中心圆满落幕。中晶新源120

6月22日，由世界半导体大会组委会、世界集成电路协会共同主办的【2025世界半导体大会国际峰会】在南京国际博览中心圆满落幕。中晶新源120V SGT MOSFET -SMT12T01AHTL (1.35mΩ / 393A / TOLL)在此次盛会上荣膺 “2025中国半导体分立器件最佳产品” 奖，凭借在技术研发领域的突出表现，获业界权威认可。

本次获中国半导体分立器件最佳产品奖的 SGT MOSFET-SMT12T01AHTL以超低导通阻抗(120V/1.35mΩ)行业领先，导通损耗降低37%，填补了高性能功率器件国产化替代的空白。结合超紧凑结构的TOLL封装，板级空间利用率提升60%。卓越的EMI能力为中高频应用提供强大的技术支撑。

SMT12T01AHTL 技术特色

创新引领深耕技术

中晶新源凭借敏锐的市场洞察力和持续的技术突破，在行业变革中展现出强劲的发展韧性。公司始终坚持长期主义，坚持高品质，持续耕耘 “核心技术” 与 “长期价值”，通过 “技术领先” 、“强供应链支持”、“差异化布局”、“高质量服务” 四轮驱动竞争优势与护城河，持续为客户提供高可靠、高性能、定制化的一站式解决方案。

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【中晶新源】成立于 2017 年，是一家强技术导向型功率半导体虚拟IDM。由国内顶尖晶圆厂重点投资、成建制欧美大厂核心团队引领，聚焦研制国际领先功率芯片，主要从事高效能高可靠功率半导体的研发设计、先进功率封装研发制造、市场销售和应用服务。攻坚关键核心技术与国产空白突破，致力于全产业链资源垂直整合，协同国内顶尖晶圆厂，打造技术领先、安全供应链、高效交付、成本优势及匠心品质，对标国际一线 IDM 大厂。

产品聚焦新一代车规级 SGT 全电压系列 (对标世界第一，中低压Si-MOSFET最前沿技术)、高压 SJ-MOSFET 650V 系列 (对标世界第一, 高压Si-MOSFET领先主流技术)、小信号及新一代整流器 SGR、车规级 MOSFET、IGBT 单管及模块(对标世界前二大)，并扩展至车规级 IGBT 、功率 IC、宽禁带半导体 GaN 和 SiC MOSFET 等。广泛应用于高速增长的新能源汽车、光储充、AI 服务器、机器人、电动工具、无人飞机、高频电源、泛工业领域等。

公司坚持长期主义，坚持高品质，持续耕耘 “核心技术” 与 “长期价值”，通过 “技术领先” 、“强供应链支持”、“差异化布局”、“高质量服务” 四轮驱动竞争优势与护城河，主打质量信赖、高难度、高附加值、专业化、定制化能力与一站式方案优势，用高品质为客户创造“独特” 价值。