中晶新源 SMT12T01AHTL 荣获 “2025半导体分立器件最佳产品奖”
摘要:6月22日,由世界半导体大会组委会、世界集成电路协会共同主办的【2025世界半导体大会国际峰会】在南京国际博览中心圆满落幕。中晶新源120

6月22日,由世界半导体大会组委会、世界集成电路协会共同主办的 【2025世界半导体大会国际峰会】在南京国际博览中心圆满落幕。中晶新源120V SGT MOSFET -SMT12T01AHTL (1.35mΩ / 393A / TOLL)在此次盛会上荣膺 “2025中国半导体分立器件最佳产品” 奖,凭借在技术研发领域的突出表现,获业界权威认可。

本次获中国半导体分立器件最佳产品奖的 SGT MOSFET-SMT12T01AHTL以超低导通阻抗(120V/1.35mΩ)行业领先,导通损耗降低37%,填补了高性能功率器件国产化替代的空白。结合超紧凑结构的TOLL封装,板级空间利用率提升60%。卓越的EMI能力为中高频应用提供强大的技术支撑。

中晶新源凭借敏锐的市场洞察力和持续的技术突破,在行业变革中展现出强劲的发展韧性。公司始终坚持长期主义,坚持高品质,持续耕耘 “核心技术” 与 “长期价值”,通过 “技术领先” 、“强供应链支持”、“差异化布局”、“高质量服务” 四轮驱动竞争优势与护城河,持续为客户提供高可靠、高性能、定制化的一站式解决方案。


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