Vishay 新款具有领先导通电阻性能的80 V MOSFET可极大改善工业应用的热性能和可焊性
 
这款节省空间的器件最大R_thJC低至0.36 ℃ / W，并配有易于吸附焊锡的侧翼，从而改善工业应用的热性能和可焊性
 
美国 宾夕法尼亚 MALVERN、中国 上海 — 2025年5月29日 — 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出一款采用无引线键合（BWL）封装并具有业内先进导通电阻的新款80 V TrenchFET^® Gen IV N沟道功率MOSFET---SiEH4800EW，旨在提高工业应用的效率。与相同尺寸的竞品器件相比，Vishay Siliconix SiEH4800EW的导通电阻低15 %，而R_thJC低18 %。
 

日前发布的器件在10 V下的导通电子典型值为0.88 mW，最大限度降低了传导造成的功率损耗，从而提高了效率，同时以低至0.36 ℃/W的最大R_thJC改善了热性能。这款节省空间的器件体积为8 mm x 8 mm，与采用TO-263封装的MOSFET相比，PCB面积减少50 %，而且其厚度仅为1 mm。
 
SiEH4800EW采用融合的焊盘，将源焊盘的可焊面积增加到3.35 mm²，比传统PIN焊接面积大四倍。这降低了MOSFET和PCB之间的电流密度，从而降低了电迁移的风险，使设计更加可靠。此外，器件易于吸附焊锡的侧翼增强了可焊性，同时更容易通过目视检查焊点的可靠性。
 
这款MOSFET的常适合同步整流和Oring应用。典型应用包括电机驱动控制器、电动工具、焊接设备、等离子切割机、电池管理系统、机器人和3D打印机。在这些应用中，该器件可在+175 ℃的高温下工作，而其BWL设计可将寄生电感降至最低，同时使电流能力最大化。
 
MOSFET符合RoHS标准，无卤素，并且经过100 %的Rg和UIS测试。
 
对比表：D2PAK、PowerPAK 8x8L和 PowerPAK 8x8SW对比

产品编号		SUM60020E	SiJH5800E	SiEH4800EW
封装		TO-263	PowerPAK 8x8L	PowerPAK 8x8SW
尺寸 (mm)		16 x 10	8.0 x 8.0 *	8.0 x 8.0 *
高度 (mm)		4.8	1.7	1.0 *
VDS (V)		80	80	80
VGS (V)		± 20	± 20	± 20
配置		单个	单个	单个
VGSth  (V)	最小值	2.0	2.0	2.0
RDS(on) (mΩ) @ 10 VGS	典型值	1.75	0.97	0.88 *
	最大值	2.1	1.35	1.15 *
ID (A)	最大值	150	302	608 *
RthJC (C/W)	最大值	0.4	0.45	0.36 *
熔断引线		无	无	有

同类最佳 (*)
 
SiEH4800EW现可提供样品并已实现量产，供货周期为13周。
 
VISHAY简介
Vishay 是全球最大的分立半导体和无源电子元件系列产品制造商之一，这些产品对于汽车、工业、计算、消费、通信、航空航天和医疗市场的创新设计至关重要。服务于全球客户，Vishay承载着科技基因——The DNA of tech. ^®。Vishay Intertechnology, Inc. 是在纽约证券交易所上市（VSH）的“财富1,000 强企业”。有关Vishay的详细信息，敬请浏览网站 www.vishay.com。
 
The DNA of tech^®是Vishay Intertechnology的注册商标。TrenchFET和PowerPAK是Siliconix incorporated的注册商标。

免责声明：本文若是转载新闻稿，转载此文目的是在于传递更多的信息，版权归原作者所有。文章所用文字、图片、视频等素材如涉及作品版权问题，请联系本网编辑予以删除。