‌麦思浦半导体推出1700V以上超高压MOSFET系列，引领国产替代新潮流‌
近日，国家高新技术企业麦思浦半导体（MASPOWER）正式宣布推出其全新的1700V以上超高压MOSFET系列产品，标志着该公司在功率半导体领域取得了又一重大突破。作为专注于功率半导体研发设计与制造的企业，麦思浦半导体此次推出的超高压MOSFET系列，旨在满足高压、高功率场景下的应用需求，为新能源发电、电动汽车、工业电源和电网设备等行业提供高效可靠的解决方案。
            

‌一、产品亮点‌
麦思浦半导体此次推出的1700V以上超高压MOSFET系列产品，涵盖了多个型号，各具特色：

• ‌MS5N170FC（1700V/5A）‌：采用TO-247封装，符合ROHS标准，经过100%雪崩测试，确保高可靠性。适用于光伏逆变器、充电桩、UPS和工业电源等高压场景。
• ‌MS4N250HGC0（2500V/4A）‌：同样采用TO-247封装，采用平面工艺，具有低导通电阻（150Ω）和高速开关能力，适用于光伏逆变器、高压电源和开关应用。
• ‌MS5N250HGE0（2500V/0.5A）‌：封装形式为TO-263（D2PAK），栅极电荷最小化，降低开关损耗，快速本征二极管设计，适合高频切换，主要应用于通信电源、医疗设备及光伏系统辅助电路。
• ‌MS2N300HGC0（3000V/2A）‌：具备3000V超高耐压和2A连续电流能力，通过100%雪崩测试，确保极端条件下的稳定性，适用于高压电源、光伏逆变器及工业开关系统。
• ‌MS1N400HGC0（4000V/1A）‌：电压高达4000V，适用于极端高压环境，低驱动电流，优化能效，广泛应用于电力传输、国网设备及特种工业电源。

‌二、技术优势‌
麦思浦半导体的1700V以上超高压MOSFET系列产品，凭借多项技术优势，在市场上脱颖而出：

• ‌平面工艺‌：全系采用平面技术，确保产品具有高耐压和低导通损耗的特点。
• ‌高速开关‌：低栅极电荷和快速本征二极管设计，显著提升开关频率，满足高频切换需求。
• ‌广泛封装‌：提供TO-247、TO-263等多种封装形式，适配不同应用需求，为用户提供更多选择。

‌三、应用领域‌
麦思浦半导体的1700V以上超高压MOSFET系列产品，凭借其优异的性能和可靠性，广泛应用于多个领域：

• ‌光伏与储能‌：用于1500V及以上系统的逆变器和升压电路，提升光伏逆变效率和储能系统的稳定性。
• ‌工业电源‌：适用于高压直流电源、通信基站电源等工业电源领域，满足高压、高功率需求。
• ‌医疗与航空航天‌：高可靠性要求的特种设备电源管理，为医疗设备和航空航天领域提供安全可靠的电源解决方案。

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麦思浦半导体此次推出的1700V以上超高压MOSFET系列产品，不仅丰富了公司的产品线，更展现了公司在功率半导体领域的深厚实力和创新能力。随着国产替代进程的加速推进，麦思浦半导体将继续致力于研发更多高性能、高可靠性的功率半导体产品，为推动我国电力电子行业的发展贡献更多力量。
 

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