踏“绿”前行 “碳”新路---英飞凌举办年度碳化硅媒体发布会，助力全球低碳化发展

 
在全球气候变化的大背景下，绿色、环保、低碳已成为当今世界发展的主旋律。2024 年 12 月 11 日下午，英飞凌在北京举办了年度碳化硅媒体发布会，展示其在碳化硅领域的前沿技术与战略布局，为全球能源转型贡献力量。此次发布会由英飞凌科技高级副总裁、工业与基础设施业务大中华区负责人于代辉先生，英飞凌科技副总裁、工业与基础设施业务大中华区市场负责人沈璐女士，以及英飞凌科技高级技术总监、工业与基础设施业务大中华区技术负责人陈立烽先生三位高管出席，分享碳化硅技术在绿色能源领域的创新应用与广阔前景。
 



英飞凌科技高级副总裁、工业与基础设施业务大中华区负责人于代辉先生
 
于代辉先生在演讲中强调，“踏‘绿’前行‘碳’新路”不仅是此次发布会的主题，更是英飞凌在全球能源变革浪潮中的行动纲领。尽管世界各国政治经济格局风云变幻，但绿色发展已成为全球共识。从政治层面看，各国积极承担起减碳与环保的责任，共同致力于保护地球家园，这为绿色产业的崛起提供了坚实的政策基础。
 
据国际能源署（IEA）报告显示，绿色能源未来涵盖发电、输电、储能与用电全链条，市场潜力超乎想象。至 2030 年，光伏装机需新增超 5000GW，电网投资将超 6000 亿美元/年，电池储能容量将增加 1000GW 以上，电动汽车充电领域投资更是超 1 万亿美元。在中国，高压直流输电（HVDC）等项目建设正如火如荼，实现了光能、风能富裕地区向经济发达地区的电力输送。此外，热泵、氢燃料电池等用电领域投资持续攀升，低空经济、电动船舶等新兴行业也蓄势待发，即将迎来高速发展期。
 
英飞凌在这场绿色能源革命中扮演着关键角色，作为全球领先的半导体企业，英飞凌深度扎根能源全链条，为包括发电、输配电、储能、用电在内的电力全价值链提供系统级的高能效产品和解决方案，产品广泛应用于风电、光伏、高铁、储能等应用领域，为推动整个社会实现绿色低碳转型发挥着重要作用。英飞凌不仅致力于在能源全链条保持半导体技术领先，更着眼于各子行业的深耕细作，力求成为行业翘楚。凭借对行业应用的深刻洞察与理解，英飞凌能够为客户提供定制化解决方案，助力其高效使用产品，稳步迈向零碳目标，构建起全方位的系统与行业布局。
 
回顾过去，英飞凌在绿色行业成绩斐然，为全球能源转型做出了卓越贡献。在风电领域，国内约 90,000 台风力发电机采用英飞凌产品，其 2023 年发电量可满足 4.5 亿人（相当于广东、河南、山东和四个直辖市人口总和）或 1.5 亿家庭的全年用电需求。在光伏领域，英飞凌产品广泛应用于超 220GW 的光伏发电机组，装机容量相当于 10 个三峡水电站，为全球清洁能源供应注入强大动力。高铁领域，2800 多列高速列车搭载英飞凌产品，满足> 15亿人次的出行需求，相当于每天与 400 万旅客出行，有力保障了高铁运行的高效与安全。储能方面，约 15GW/30GWh 的新型储能系统采用英飞凌技术，装机容量约等于世界第二大水电站——白鹤滩水电站，为稳定能源供应、促进可再生能源消纳提供保障。
 
展望未来，绿色能源市场充满无限潜力。在可再生能源领域，以现有高安装量为基石，2024 年光伏新增装机量预计维持在 190 - 220GW 高位，风电项目储备丰富，装机稳定且海上风电持续上扬，国内客户还积极拓展海外市场。电力基础设施领域同样前景广阔，充电桩板块伴随新能源汽车普及迅猛发展，2023 年同比增长 65%，累计数量达 859 万台，2024 年底有望增至 1200 万台；新型储能板块预计 2024 - 2030 年累计装机规模复合增长率超 30%；
 
碳化硅是满足可持续性能源生产和消费的核心技术，与绿色能源价值链紧密相连。其创新涵盖产品、工艺与系统应用，带来高能效、高系统级性价比和长寿命周期的可靠性，有力推动可再生能源与电网升级、电动汽车普及以及工业和消费类应用的能效与智能提升。
 
从市场预测看，2024 - 2029 年全球碳化硅市场规模将从 31 亿欧元飙升至 90 亿欧元，年复合增长率超 24%，各应用领域增长率均达两位数，未来五年固态断路器和风能领域更是高速增长，分别达 76%和 95%。
 
英飞凌在碳化硅市场占据引领地位，自 1992 年率先研发碳化硅技术起，一路领航，2001 年推出首个商用碳化硅二极管，生产线从 4 英寸逐步拓展至 8 英寸，2018 年收购 Siltectra 提升晶圆利用效率，2019 年推出第一代 CoolSiC^TM MOSFET 技术，2024年我们推出了CoolSiC^TM MOSFET G2，也就是第二代新的碳化硅MOSFET技术。同时我们推出XHP^TM 2 CoolSiC^TM半桥模块，其额定电压为3.3千伏，并集成了.XT技术的高功率模块，在市场上激起强烈反响，持续为碳化硅技术的发展与应用注入强劲动力，助力新能源行业迈向新高度。
 
     于代辉用“稳”、“先”、“卓”、“优”和“融”这五个关键字，传递出英飞凌希望通过稳定的产品质量、多元化的供应链保障、领先的技术创新、卓越的产品性能和优化的产能布局，来不断满足和解决客户的痛点需求，推动碳化硅市场快速发展的决心和能力。
 
“稳”字当头，作为 IDM 厂商，自身在芯片到封装的前后道业务协同下，达成制程、制造与质量的稳定，零缺陷质量管理体系确保产品质量。同时，多元化采购，与中国本土及全球供应商签协议，保障供货稳定。
 
“先”靠技术驱动，三十年研发积累近三万项专利，冷切割、沟槽栅及封装技术全链条领先，采用高测试标准，推出新电压等级产品，如 推出市场上首款击穿电压达到2000V的碳化硅分立器件以及推出全球首款基于沟槽栅技术的3.3kV碳化硅高功率模块等，引领技术与系统升级。
 
“卓”以众多全球首款产品及国际奖项彰显卓越。
 
“优”在持续优化产能布局，打造全球最具竞争力的8英寸晶圆厂，奥地利与马来西亚两座生产基地紧密结合，形成了一个专注于宽禁带技术的"虚拟协同工厂"，可以共享技术和工艺，并以此实现快速量产和平稳高效地运营。
 
“融”则强调在中国深度融入生态圈，靠近客户，理解本土系统，加强定制化与本土团队建设，利用无锡生产基地，凭借过往工艺制程沉淀，高效服务中国市场。英飞凌工业与基础设施业务事业部正携手用户，在绿色能源之路上稳步前行，共创未来。
 

 
英飞凌科技副总裁、工业与基础设施业务大中华区市场负责人沈璐沈璐女士
 
英飞凌科技副总裁、工业与基础设施业务大中华区市场负责人沈璐沈璐女士随后以《重塑格局，引领市场——碳化硅何以英飞凌？》为主题，进一步阐述英飞凌在碳化硅业务上的目标与策略。她指出，低碳化转型背后是电气化，能源转换次数增多凸显碳化硅技术提升能效的关键价值，其核心目标是满足能效创新和设计创新需求，而英飞凌致力于成为客户首选的零碳技术创新伙伴。
 
针对碳化硅技术常见的误区，沈璐女士进行了详细澄清。在可靠性方面，很多人认为平面栅结构简单可靠性高，沟槽栅复杂且可靠性存疑，但实际上英飞凌的沟槽栅技术通过采用更高的筛选电压和更厚的氧化层，能最大限度降低门极氧化层的缺陷密度，从而保障更高的可靠性，这已被众多国际国内大厂的技术路线选择所证实。在碳化硅性能评价原则上，不能仅单一地看单位面积导通电阻，随着碳化硅高频开关应用场景的增多，开关损耗的重要性日益凸显，同时芯片封装的热阻、模块杂感优化以及鲁棒性和可靠性等都是关键因素，英飞凌的产品在这些多维度性能上均表现卓越，且针对高温漂移等碳化硅物理特性问题，已为用户提供详尽设计参数。
 
在碳化硅业务策略上，英飞凌将坚持三大方向：首先是持续布局，步履不停，不断推进芯片技术路线的迭代和产线的升级；第二是持续创新，超越期待，如推出全球首款2kV碳化硅分立器件、全球首款基于沟槽栅技术的3.3kV碳化硅高功率模块，以及实现业界单芯片最大功率密度的CoolSiC™ MOSFET G2产品等，通过持续推出创新产品，英飞凌树立了行业的新标杆；第三是持续深耕，穿越周期，英飞凌将保持长期的战略定力，坚持做对的事，而不是容易的事，在坚持沟槽栅技术路线、坚持可靠性承诺的同时，确保拥有全面的产品组合，面向不同行业和市场应用满足客户多样的需求，驾驭周期性的考验。
 

 
英飞凌科技高级技术总监、工业与基础设施业务大中华区技术负责人陈立烽先生
 
最后，陈立烽先生以《英飞凌 CoolSiC™碳化硅技术 —— 值得信赖的技术革命》为主题，深入解读英飞凌在碳化硅技术革新方面的不懈努力。对于碳化硅器件性能评估，除了基本的电压等级和导通电阻等静态和动态性能外，可靠性、稳定性和易用性等同样关键，如门极氧化层可靠性、体二极管鲁棒性、驱动电压延展性和抗短路能力等都是重要指标。
 
英飞凌的沟槽栅技术采用垂直沟道设计，有效提升载流子迁移率，降低导通电阻和开关损耗，深 P+阱结构增强氧化层可靠性并形成保护电场。通过实验验证，英飞凌的 MOSFET 在门极氧化层可靠性上相比其他厂商具有显著优势。在封装技术方面，.XT 扩散焊技术相较于标准焊接，能显著降低热阻，提高散热效率和焊接可靠性，无论是单管器件还是模块，都能有效提升输出功率、降低结温并提高系统可靠性。在工艺水平上，冷切割技术充分利用材料，减少浪费。
 

 
 
聚焦第二代 CoolSiC^TM MOSFET 产品，其在继承第一代优势的基础上进一步优化。电阻范围从 7 毫欧到 78 毫欧，其中 7 毫欧为业界工艺密度之最，具有更低的损耗、更好的散热、更宽的 VGS 范围。通过对不同应用场景下的性能优化，如在硬开关、软开关和轻载等情况下均表现出色，降低开关损耗，提高功率效率。在产品参数一致性方面，门极电压分布窄，温度特性良好，在并联应用中具有更好的稳定性和可靠性。此外，CoolSiC^TM MOSFET G2 增强了对抗米勒效应的能力，有效防止寄生导通，简化设计并提高系统可靠性，同时具备 200 度短时过载能力、2 微秒短路时间、小 VGS(th)离散性以及更贴合系统需求的 Datasheet 标注等诸多优势，在系统优化方面持续精进。
 
英飞凌此次发布会全面展示了其在碳化硅领域的深厚底蕴、创新实力和广阔前景。在全球绿色能源转型的关键时期，英飞凌正以领先的技术和战略布局，踏“绿”前行，为构建可持续发展的未来贡献着强大力量，有望引领整个行业在碳化硅技术的应用浪潮中迈向新的高度，与合作伙伴携手共创绿色低碳的辉煌明天。    

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