Vishay推出新型第三代1200 V SiC肖特基二极管，提升开关电源设计能效和可靠性
 
器件采用MPS结构设计，额定电流5 A~ 40 A，低正向压降、低电容电荷和低反向漏电流低
 
美国 宾夕法尼亚 MALVERN、中国 上海 — 2024年6月28日 — 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出16款新型第三代1200 V碳化硅（SiC）肖特基二极管。Vishay Semiconductors器件采用混合PIN 肖特基（MPS）结构设计，具有高浪涌电流保护能力，低正向压降、低电容电荷和低反向漏电流低，有助于提升开关电源设计能效和可靠性。
 
日前发布的新一代SiC二极管包括5 A至40 A器件，采用TO-220AC 2L、TO-247AD 2L和TO-247AD 3L插件封装和D²PAK 2L（TO-263AB 2L）表面贴装封装。由于采用MPS结构——利用激光退火背面减薄技术——二极管电容电荷低至28 nC，正向压降减小为1.35 V。此外，器件25 °C下典型反向漏电流仅为2.5 µA，因此降低了导通损耗，确保系统轻载和空载期间的高能效。与超快恢复二极管不同，第三代器件几乎没有恢复拖尾，从而能够进一步提升效率。 
 
碳化硅二极管典型应用包括FBPS和LLC转换器AC/DC功率因数校正（PFC）和 DC/DC超高频输出整流，适用于光伏逆变器、储能系统、工业驱动器和工具、数据中心等。这些严苛的应用环境中，器件工作温度可达+175°C，正向额定浪涌电流保护能力高达260 A。此外，D²PAK 2L封装二极管采用高CTI ³ 600的塑封料，确保电压升高时优异的绝缘性能。
 
器件具有高可靠性，符合RoHS标准，无卤素，通过2000小时高温反偏（HTRB）测试和2000次热循环温度循环测试。
 
器件规格表：

产品编号	IF(AV) (A)	IFSM (A)	IF 下VF (V)	QC (nC)	配置	封装
VS-3C05ET12T-M3	5	42	1.35	28	单晶圆	TO-220AC 2L
VS-3C10ET12T-M3	10	84	1.35	55	单晶圆	TO-220AC 2L
VS-3C15ET12T-M3	15	110	1.35	81	单晶圆	TO-220AC 2L
VS-3C20ET12T-M3	20	180	1.35	107	单晶圆	TO-220AC 2L
VS-3C05ET12S2L-M3	5	42	1.35	28	单晶圆	D2PAK 2L
VS-3C10ET12S2L-M3	10	84	1.35	55	单晶圆	D2PAK 2L
VS-3C15ET12S2L-M3	15	110	1.35	81	单晶圆	D2PAK 2L
VS-3C20ET12S2L-M3	20	180	1.35	107	单晶圆	D2PAK 2L
VS-3C10EP12L-M3	10	84	1.35	55	单晶圆	TO-247AD 2L
VS-3C15EP12L-M3	15	110	1.35	81	单晶圆	TO-247AD 2L
VS-3C20EP12L-M3	20	180	1.35	107	单晶圆	TO-247AD 2L
VS-3C30EP12L-M3	30	260	1.35	182	单晶圆	TO-247AD 2L
VS-3C10CP12L-M3	2 x 5	42	1.35	28	双晶圆共阴极	TO-247AD 3L
VS-3C20CP12L-M3	2 x 10	84	1.35	55	双晶圆共阴极	TO-247AD 3L
VS-3C30CP12L-M3	2 x 15	110	1.35	81	双晶圆共阴极	TO-247AD 3L
VS-3C40CP12L-M3	2 x 20	180	1.35	107	双晶圆共阴极	TO-247AD 3L

 
新型SiC二极管现可提供样品并已实现量产，供货周期为13周。
 
VISHAY简介
Vishay 是全球最大的分立半导体和无源电子元件系列产品制造商之一，这些产品对于汽车、工业、计算、消费、通信、国防、航空航天和医疗市场的创新设计至关重要。服务于全球客户，Vishay承载着科技基因——The DNA of tech. ^®。Vishay Intertechnology, Inc. 是在纽约证券交易所上市（VSH）的“财富1,000 强企业”。有关Vishay的详细信息，敬请浏览网站 www.vishay.com。
 
The DNA of tech^®是Vishay Intertechnology的商标。

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