中国上海，2023年11月7日——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出“SSM10N961L”低导通电阻30V N沟道共漏极MOSFET，适用于带有USB的设备以及电池组保护。该产品于今日开始支持批量出货。 新型封装TCSPAG-341501
 
Ø 应用：
- 智能手机
- 笔记本电脑
- 平板电脑等
 
Ø 特性：
- 高源极-源极额定电压：VSSS＝30V
- 低导通电阻：RSS(ON)＝9.9mΩ（典型值）（VGS＝10V）
- 双向导通的共漏极连接结构
- 小巧纤薄的TCSPAG-341501封装：3.37mmÍ1.47mm（典型值），厚度＝0.11mm（典型值）
 
Ø 主要规格：
（除非另有说明，Ta＝25℃）

器件型号				SSM10N961L
极性				N沟道Í2
内部连接				共漏极
绝对最大额定值	源极-源极电压VSSS（V）			30
	栅极-源极电压VGSS（V）			±20
	源极电流（DC）IS（A）[1]			9.0
	源极电流（DC）IS（A）[2]			14.0
电气特性	源极-源极击穿电压V(BR)SSS（V）	VGS＝0V	最小值	30
	源极-源极导通电阻RSS(ON)（mΩ）	VGS＝10V	典型值	9.9
		VGS＝4.5V	典型值	13.6
封装	名称			TCSPAG-341501
	尺寸（mm）		典型值	3.37Í1.47，厚度＝0.11
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注：
[1] 器件安装在一块FR4环氧树脂玻璃板（25mmÍ27.5mm、厚度＝1.6mm，铜焊盘：18µm、407mm²）上
[2] 器件安装在一块FR4环氧树脂玻璃板（25mmÍ27.5mm、厚度＝1.6mm，铜焊盘：70µm、687.5mm²）上
 
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MOSFET
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应用
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关于东芝电子元件及存储装置株式会社
东芝电子元件及存储装置株式会社是先进的半导体和存储解决方案的领先供应商，公司累积了半个多世纪的经验和创新，为客户和合作伙伴提供分立半导体、系统LSI和HDD领域的杰出解决方案。
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