与东芝当前的产品TLP3475S相比，TLP3476S运行速度更快、结构更紧凑。该产品通过提高红外LED的光输出并优化光电探测器件（光电二极管阵列）的设计，可实现高效的光耦合，也提高了运行速度，将导通时间最大值缩短至0.25ms，时间为TLP3475S的一半。此外，由于采用了尺寸更小、外形更纤薄的S-VSON4T封装（最大厚度为1.4mm），TLP3476S的厚度比当前产品减小了20%。这有助于减少需要多个电路板的设备的尺寸。

 
TLP3476S适用于继电器数量多，并需要更短开关时间的半导体测试设备电路。
 
Ø 应用
- 半导体测试设备（高速存储器测试设备、高速逻辑测试设备等）
- 探测卡
- 测量设备
 
 
Ø 特性
- 小型S-VSON4T封装：1.45mm×2.0mm（典型值），厚度＝1.4mm（最大值）
- 高速导通时间：tON＝0.25ms（最大值）
 
 
Ø 主要规格
（Ta＝25℃）

器件型号				TLP3476S
封装	名称			S-VSON4T
	尺寸（mm）			1.45×2.0（典型值），厚度＝1.4（最大值）
绝对 最大额定值	断态输出端电压VOFF（V）			60
	通态电流ION（A）			0.4
	通态电流（脉冲）IONP（A）			1.2
	工作温度Topr（℃）			-40至110
耦合电气 特性	触发LED电流IFT（mA）		最大值	3.0
	导通电阻RON（Ω）		典型值	1.1
			最大值	1.5
电气特性	输出电容COFF（pF）		最大值	20
开关特性	导通时间tON（ms）	@RL＝200Ω、 VDD＝20V、 IF＝5mA	最大值	0.25
	关断时间tOFF（ms）			0.2
隔离特性	隔离电压BVS（Vrms）		最小值	500
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