Vishay推出新型第三代650 V SiC肖特基二极管,提升开关电源设计能效和可靠性

时间:2023-05-23 14:24来源:

摘要:美国宾夕法尼亚MALVERN、中国上海—2023年5月23日—日前,VishayIntertechnology,Inc(NYSE股市代号:VSH)宣布,推出17款新型第三代650V碳化硅(SiC)肖特基二极管。

器件采用MPS结构设计,额定电流4 A~ 40 A,正向压降、电容电荷和反向漏电流
 
美国 宾夕法尼亚 MALVERN、中国 上海 — 2023年5月23日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出17款新型第三代650 V 碳化硅(SiC)肖特基二极管。Vishay Semiconductors器件采用混合PIN Schottky(MPS)结构设计,具有高浪涌电流保护能力,正向压降、电容电荷和反向漏电流低,有助于提升开关电源设计能效和可靠性。
 
日前发布的新一代SiC二极管包括4A至40A器件,采用TO-22OAC 2L和TO-247AD 3L 插件封装和D2PAK 2L(TO-263AB 2L)表面贴装封装。由于采用MPS结构,器件正向压降比上一代解决方案低0.3V,正向压降与电容电荷乘积,即电源能效重要优值系数(FOM),相比上一代解决方案降低17%。
 
与接近的竞品解决方案相比,二极管室温下典型反向漏电流低30%,高温下低70%。因此降低了导通损耗,确保系统轻载和空载期间的高能效。与超快恢复二极管不同,第三代器件几乎没有恢复拖尾,从而能够进一步提升效率。
 
与击穿电压相当的硅二极管相比,SiC二极管热导率高,反向电流低,反向恢复时间短。二极管反向恢复时间几乎不受温度变化的影响,可在+175 °C高温下工作,不会因开关损耗造成能效变化。
 
器件典型应用包括发电和勘探应用领域FBPS和LLC转换器中的AC/DC功率因数校正(PFC)和 DC/DC超高频输出整流。器件具有高可靠性,符合RoHS标准,无卤素,通过2000小时高温反偏(HTRB)测试和2000次热循环温度循环测试,测试时间和循环次数是AEC-Q101规定的两倍。
 
产品编号 IF(AV) (A) IFSM (A) IF 下VF (V) QC (nC) 配置 封装
VS-3C04ET07S2L-M3 4 29 1.5 12 D2PAK 2L
VS-3C06ET07S2L-M3 6 42 1.5 17 D2PAK 2L
VS-3C08ET07S2L-M3 8 54 1.5 22 D2PAK 2L
VS-3C10ET07S2L-M3 10 60 1.46 29 D2PAK 2L
VS-3C12ET07S2L-M3 12 83 1.5 34 D2PAK 2L
VS-3C16ET07S2L-M3 16 104 1.5 44 D2PAK 2L
VS-3C20ET07S2L-M3 20 110 1.5 53 D2PAK 2L
VS-3C04ET07T-M3 4 29 1.5 12 TO-220AC 2L
VS-3C06ET07T-M3 6 42 1.5 17 TO-220AC 2L
VS-3C08ET07T-M3 8 54 1.5 22 TO-220AC 2L
VS-3C10ET07T-M3 10 60 1.46 29 TO-220AC 2L
VS-3C12ET07T-M3 12 83 1.5 34 TO-220AC 2L
VS-3C16ET07T-M3 16 104 1.5 44 TO-220AC 2L
VS-3C20ET07T-M3 20 110 1.5 53 TO-220AC 2L
VS-3C16CP07L-M3 2 x 8 54 1.5 22 共阴极 TO-247AD 3L
VS-3C20CP07L-M3 2 x 10 60 1.46 29 共阴极 TO-247AD 3L
VS-3C40CP07L-M3 2 x 20 110 1.5 53 共阴极 TO-247AD 3L
 
新型SiC二极管现可提供样品并已实现量产,供货周期为八周。
 
VISHAY简介
Vishay 是全球最大的分立半导体和无源电子元件系列产品制造商之一,这些产品对于汽车、工业、计算、消费、通信、国防、航空航天和医疗市场的创新设计至关重要。服务于全球客户,Vishay承载着科技基因——The DNA of tech.Ô。Vishay Intertechnology, Inc. 是在纽约证券交易所上市(VSH)的“财富1,000 强企业”。有关Vishay的详细信息,敬请浏览网站 www.vishay.com
 
The DNA of tech.Ô 是Vishay Inter technology的商标。
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