Nexperia先进电热模型可覆盖整个MOSFET工作温度范围
时间:2022-03-24 15:08来源:
摘要:奈梅亨,2022年3月24日:基础半导体元器件领域的高产能生产专家Nexperia(安世半导体)今日宣布MOSFET器件推出全新增强型电热模型。半导体制造商通常会为MOSFET提供仿真模型,但一般仅限于在典型工作温度下建模的少量器件参数。Nexperia的全新先进模型可捕获-55℃至175℃的整个工作温度范围的一系列完整器件参数。
新模型还可在原型设计前对EMC性能进行调查
奈梅亨,2022年3月24日:基础半导体元器件领域的高产能生产专家Nexperia(安世半导体)今日宣布MOSFET器件推出全新增强型电热模型。半导体制造商通常会为MOSFET提供仿真模型,但一般仅限于在典型工作温度下建模的少量器件参数。Nexperia的全新先进模型可捕获-55℃至175℃的整个工作温度范围的一系列完整器件参数。
这些先进模型中加入了反向二极管恢复时间和电磁兼容性(EMC),大大提升了器件整体精度。参数可帮助工程师建立精确的电路和系统级仿真,并在原型设计前对电热及EMC性能进行评估。模型还有助于节省时间和资源,工程师此前需要确保他们的设计可以在(不太可能的)最坏情况下工作,而现在能够在特定温度范围内对设计进行仿真。
继Nexperia广受欢迎的交互式应用笔记发布之后,这些先进的电热模型是由我们的工程师团队专为广大工程师朋友设计的一系列支持工具中的最新一款,计划在未来几个月内发布。此种可支持外部活动的新工具旨在尽可能为Nexperia的客户提供无缝的器件设计。
有关更多信息,请访问:www.nexperia.com/advanced-support-tools
关于Nexperia
Nexperia,作为生产大批量基础半导体器件的专家,其产品广泛应用于全球各类电子设计。公司丰富的产品组合包括二极管、双极性晶体管、ESD保护器件、MOSFET器件、氮化镓场效应晶体管(GaN FET)以及模拟IC和逻辑IC。Nexperia总部位于荷兰奈梅亨,每年可交付1000多亿件产品,产品符合汽车行业的严苛标准。其产品在效率(如工艺、尺寸、功率及性能)方面获得行业广泛认可,拥有先进的小尺寸封装技术,可有效节省功耗及空间。
凭借几十年来的专业经验,Nexperia持续不断地为全球各地的优质企业提供高效的产品及服务,并在亚洲、欧洲和美国拥有超过12,000名员工。Nexperia是闻泰科技股份有限公司(600745.SS)的子公司,拥有庞大的知识产权组合,并获得了IATF 16949、ISO 9001、ISO 14001和ISO 45001认证。
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