EPC推出超高功率密度1226 W/in³、1 kW的48 V/12 V LLC转换器
时间:2021-05-31 10:46来源:21dianyuan
摘要:宜普电源转换公司(EPC)宣布推出新型EPC9149演示板。该板为一款可提供1kW功率的48V输入、12V输出的LLC转换器,可作为直流变压器,转换比为4:1。EPC9149采用额定电压为100V的EPC2218氮化镓场效应晶体管(eGaNFET)和额定电压为40V的EPC2024。
宜普电源转换公司(EPC)宣布推出新型EPC9149演示板。该板为一款可提供1 kW功率的48 V输入、12 V输出的LLC转换器,可作为直流变压器,转换比为4:1。EPC9149采用额定电压为100 V的EPC2218氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)和额定电压为40 V的EPC2024 。
EPC9149的尺寸是根据DOSA标准的1/8砖型,仅为58.4 mm x 22.9 mm。输出功率是1 kW时,EPC9149比基于硅器件的解决方案要小得多,后者的尺寸通常是1/4砖或大两倍。不带散热器的转换器的总厚度仅为10 mm。为了让工程师能够轻松地复制这个设计,该电路板的所有设计资源,包括原理图、物料清单和Gerber文档,都可以在EPC网站上找到。
凭借EPC公司的氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)技术,才可以实现1226 W / in3的高功率密度。eGaN FET具有高开关频率,这个板子的频率是1 MHz且微型,其尺寸仅为采用相同导通电阻的硅MOSFET的板子的1/3。EPC9149采用4个用于一次侧同步整流、额定电压为100 V的 EPC2218 ,以及采用8个用于二次侧同步整流、40 V的 EPC2024器件。该板还采用尺寸为4 mm x 4 mm 的Microchip dsPIC33CKMP102T-I/M6控制器, 可实现高灵活性、进行配置、通信和编程,从而充分发挥氮化镓场效应晶体管的性能。
EPC9149演示板可以在36 V至60 V的输入电压下工作,并输出高达83.3 A的负载电流。 输入电压在48V至12V时的峰值效率为98%,在提供1 kW功率、12 V时的满载效率为97%。在最大负载和400 LFM气流下,最高稳态工作温度为88°C,最高结温为95°C。
EPC9149发货时随附主板以简化测试。
宜普电源转换公司是基于增强型氮化镓(eGaN®)的功率管理器件的领先供货商,氮化镓(eGaN)场效应晶体管及集成电路的性能比最好的硅功率MOSFET器件高出很多倍,其目标应用包括直流- 直流转换器、激光雷达(LiDAR)、用于电动运输、机器人和无人机的电机驱动器,以及低成本卫星等应用。此外,宜普电源转换公司继续扩大基于eGaN IC的产品系列,为客户提供进一步节省占板面积、节能及节省成本的解决方案。详情请访问我们的网站,网址为www.epc-co.com.cn。eGaN® 是Efficient Power Conversion Corporation宜普电源转换公司的注册商标。
EPC9149的尺寸是根据DOSA标准的1/8砖型,仅为58.4 mm x 22.9 mm。输出功率是1 kW时,EPC9149比基于硅器件的解决方案要小得多,后者的尺寸通常是1/4砖或大两倍。不带散热器的转换器的总厚度仅为10 mm。为了让工程师能够轻松地复制这个设计,该电路板的所有设计资源,包括原理图、物料清单和Gerber文档,都可以在EPC网站上找到。
凭借EPC公司的氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)技术,才可以实现1226 W / in3的高功率密度。eGaN FET具有高开关频率,这个板子的频率是1 MHz且微型,其尺寸仅为采用相同导通电阻的硅MOSFET的板子的1/3。EPC9149采用4个用于一次侧同步整流、额定电压为100 V的 EPC2218 ,以及采用8个用于二次侧同步整流、40 V的 EPC2024器件。该板还采用尺寸为4 mm x 4 mm 的Microchip dsPIC33CKMP102T-I/M6控制器, 可实现高灵活性、进行配置、通信和编程,从而充分发挥氮化镓场效应晶体管的性能。
EPC9149演示板可以在36 V至60 V的输入电压下工作,并输出高达83.3 A的负载电流。 输入电压在48V至12V时的峰值效率为98%,在提供1 kW功率、12 V时的满载效率为97%。在最大负载和400 LFM气流下,最高稳态工作温度为88°C,最高结温为95°C。
EPC首席执行官Alex Lidow表示:“eGaN FET和集成电路提高了48 V/12 V转换器的功率密度,并满足了数据中心对于小尺寸、更高功率的应用需求。Microchip数字控制器使得EPC9149演示板可灵活地进行编程和配置。”
EPC9149发货时随附主板以简化测试。
宜普电源转换公司是基于增强型氮化镓(eGaN®)的功率管理器件的领先供货商,氮化镓(eGaN)场效应晶体管及集成电路的性能比最好的硅功率MOSFET器件高出很多倍,其目标应用包括直流- 直流转换器、激光雷达(LiDAR)、用于电动运输、机器人和无人机的电机驱动器,以及低成本卫星等应用。此外,宜普电源转换公司继续扩大基于eGaN IC的产品系列,为客户提供进一步节省占板面积、节能及节省成本的解决方案。详情请访问我们的网站,网址为www.epc-co.com.cn。eGaN® 是Efficient Power Conversion Corporation宜普电源转换公司的注册商标。
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