基于 GaN 的高效率 65-W 有源箝位反激式充电器参考设计
摘要：该解决方案消除了ACF拓扑设计的困难，ACF拓扑设计通常在高压侧和低压侧配置有两个晶体管。新的充电器参考设计使用了Silanna半导体公司的sz1130acf脉宽调制器(PWM)控制器和GaNSystems的GS-065-008-1-l650vGaN功率晶体管，控制器中集成了高边FET。这种设计通过在二次侧使用传统的RM8变压器和100VSRMOSFET来降低BoM成本。
该解决方案消除了ACF拓扑设计的困难，ACF拓扑设计通常在高压侧和低压侧配置有两个晶体管。新的充电器参考设计使用了Silanna半导体公司的sz1130acf脉宽调制器(PWM)控制器和GaN Systems的GS-065-008-1-l650v GaN功率晶体管，控制器中集成了高边FET。这种设计通过在二次侧使用传统的RM8变压器和100V SR MOSFET来降低BoM成本。
主要优点和特点包括：超高密度：30W/in^3;高效率：峰值效率>94%;工作温度低：<95°C最高元件温度;更好的EMI设计：干净的波形几乎零电压尖峰或振铃;支持广泛的应用：5V/3A、9V/3A、15V/3A和20V/3.25A 输出电压;支持USB-PD。
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