英飞凌推出适用于 5G 和 LTE 宏基站的全新栅极驱动 IC

时间:2021-02-04 13:54来源:21 Dianyuan

摘要:新款2EDL8系列包含四个版本,分为两种不同的上拉电流和两种不同的输入配置。3A(安培)版本适合用于改装设计,领先业界的4A(安培)版本则适用于降低MOSFET开关耗损。

英飞凌科技股份有限公司推出全新 EiceDRIVER™ 2EDL8 栅极驱动 IC 产品系列,以满足移动网络基础设备DC-DC 电信砖的增长需求。这些双通道接面隔离式栅极驱动 IC 能为隔离式 DC-DC 降压转换器/电信砖提供 高功率密度、 高效率和耐用度,助力打造 5G 和 LTE 电信基础设备的宏基站。

 

 

四个版本

新款 2EDL8 系列包含四个版本,分为两种不同的上拉电流和两种不同的输入配置。3A(安培) 版本适合用于改装设计,领先业界的 4A(安培) 版本则适用于降低 MOSFET 开关耗损。
 

双通道

2EDL802x 的双通道可分别独立运作,是一次侧对角驱动全桥及二次侧同步整流级用于降低续流(freewheeling)损耗的理想选择。2EDL812x 采用差分输入结构,并内置直通(shoot-through)保护,是 DC-DC 砖式转换器非对角驱动一次侧半桥级的完美选择。
 

符合标准

2EDL8 具备整合式120V自举二极管和精准的通道对通道传播延迟匹配 (典型值 ± 2 ns)。此系列所有产品皆采用符合业界标准的 PG-VDSON-8 无引线封装和引脚输出。
 

01

关键特性

集成 120 V 自举二极管

低阻值轨对轨输出

低边:4 A 上拉电流,6 A 下拉电流

高边:4 A 上拉电流,5 A 下拉电流

4 ns 延迟匹配

差分输入,可选


02

关键特性

无需外置自举二极管

MOSFET 开关快速

高下拉电流可降低

开关噪声回传风险

低死区时间损耗

固有击穿保护

-8 V/+15 V 共模抑制


03

系统优势

高功率密度

高效率

高 MOSFET 可靠性

运行稳健


04

潜在应用

通信 DC-DC 转换器

数据通信 DC-DC 转换器

双开关正激式转换器

有源钳位正激式转换器

D 类音频放大器

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