英飞凌推出适用于 5G 和 LTE 宏基站的全新栅极驱动 IC
摘要:新款2EDL8系列包含四个版本,分为两种不同的上拉电流和两种不同的输入配置。3A(安培)版本适合用于改装设计,领先业界的4A(安培)版本则适用于降低MOSFET开关耗损。
四个版本
新款 2EDL8 系列包含四个版本,分为两种不同的上拉电流和两种不同的输入配置。3A(安培) 版本适合用于改装设计,领先业界的 4A(安培) 版本则适用于降低 MOSFET 开关耗损。
双通道
2EDL802x 的双通道可分别独立运作,是一次侧对角驱动全桥及二次侧同步整流级用于降低续流(freewheeling)损耗的理想选择。2EDL812x 采用差分输入结构,并内置直通(shoot-through)保护,是 DC-DC 砖式转换器非对角驱动一次侧半桥级的完美选择。
符合标准
2EDL8 具备整合式120V自举二极管和精准的通道对通道传播延迟匹配 (典型值 ± 2 ns)。此系列所有产品皆采用符合业界标准的 PG-VDSON-8 无引线封装和引脚输出。
01
关键特性
集成 120 V 自举二极管
低阻值轨对轨输出
低边:4 A 上拉电流,6 A 下拉电流
高边:4 A 上拉电流,5 A 下拉电流
4 ns 延迟匹配
差分输入,可选
02
关键特性
无需外置自举二极管
MOSFET 开关快速
高下拉电流可降低
开关噪声回传风险
低死区时间损耗
固有击穿保护
-8 V/+15 V 共模抑制
03
系统优势
高功率密度
高效率
高 MOSFET 可靠性
运行稳健
04
潜在应用
通信 DC-DC 转换器
数据通信 DC-DC 转换器
双开关正激式转换器
有源钳位正激式转换器
D 类音频放大器
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