氮化镓 (GaN) 接替硅,支持高能效、高频电源设计
时间:2020-03-13 16:13来源:21Dianyuan
摘要:对于新技术而言,GaN本质上比其将取代的技术(硅)成本低。GaN器件与硅器件是在同一工厂用相同的制造程序生产出。因此,由于GaN器件小于等效硅器件,因此每个晶片可以生产更多的器件,从而降低了每个晶片的成本。
本文作者:安森美半导体策略营销总监 Yong Ang
在所有电力电子应用中,功率密度是关键指标之一,这主要由更高能效和更高开关频率驱动。随着基于硅的技术接近其发展极限,设计工程师现在正寻求宽禁带技术如氮化镓(GaN)来提供方案。
对于新技术而言,GaN本质上比其将取代的技术(硅)成本低。GaN器件与硅器件是在同一工厂用相同的制造程序生产出。因此,由于GaN器件小于等效硅器件,因此每个晶片可以生产更多的器件,从而降低了每个晶片的成本。
GaN有许多性能优势,包括远高于硅的电子迁移率(3.4eV对比1.1eV),这使其具有比硅高1000倍的电子传导效率的潜力。值得注意的是,GaN的门极电荷(QG)较低,并且由于必须在每个开关周期内对其进行补充,因此GaN能够以高达1 MHz的频率工作,效率不会降低,而硅则难以达到100 kHz以上。此外,与硅不同,GaN没有体二极管,其在AlGaN / GaN边界表面的2DEG可以沿相反方向传导电流(称为“第三象限”操作)。因此,GaN没有反向恢复电荷(QRR),使其非常适合硬开关应用。
GaN确实具有有限的雪崩能力,并且比硅更容易受到过电压的影响,因此极其适用于漏-源电压(VDS)钳位在轨电压的半桥拓扑。无体二极管使GaN成为硬开关图腾柱功率因数校正(PFC)的很好的选择,并且GaN也非常适用于零电压开关(ZVS)应用,包括谐振LLC和有源钳位反激。
45 W至65 W功率水平的快速充电适配器将得益于基于GaN的有源钳位反激,而基于LLC的GaN用于150 W至300 W的高端笔记本电脑电源适配器中,例如用于游戏的笔记本电脑。在这些应用中,使用GaN技术可使功率密度增加一倍,从而使适配器更小、更轻。特别地,相关的磁性元器件能够减小尺寸。例如,电源变压器内核的尺寸可从RM10减小为RM8的薄型或平面设计。因此,在许多应用中,功率密度增加了一倍甚至三倍,达30 W / in3。
在更高功率的应用中,例如为服务器、云和电信系统供电的电源,尤其是基于图腾柱PFC的电源,采用GaN可使能效超过99%。这使这些系统能够满足最重要的(和严格的)能效标准,如80+ titanium。
驱动GaN器件的方法对于保护相对敏感的栅极氧化物至关重要。在器件导通期间提供精确调节的门极驱动幅值尤为重要。实现此目的的一种方法是添加低压降稳压器(LDO)到现有的硅MOSFET门极驱动器中。但这会损害门极驱动性能,因此,最好使用驱动GaN的专用半桥驱动器。
更具体地说,硅MOSFET驱动器的典型传输延迟时间约为100 ns,这不适合驱动速度在500 kHz到1 MHz之间的GaN器件。对于此类速度,理想情况下,传输延迟应不超过50 ns。
由于电容较低,因此在GaN器件的漏极和源极之间有高电压转换率。这可能导致器件过早失效甚至发生灾难性故障,尤其是在大功率应用中。为避免这种情况,必须有高的dv / dt抗扰度(在100 V / ns的范围内)。
PCB会对GaN设计的性能产生实质性影响,因此经常使用RF型布局中常用的技术。我们还建议对门极驱动器使用低电感封装(如PQFN)。
安森美半导体的NCP51820是业界首款半桥门极驱动器,专门设计用于GaN技术。它具有调节的5.2 V门极驱动,典型的传输延迟仅为25 ns。它具有高达200 V / ns的dv / dt抗扰度,采用低电感PQFN封装。
最初采用GaN技术并增长的将是如低功率快速充电USB PD电源适配器和游戏类笔记本电脑高功率适配器等应用。这主要归因于有控制器和驱动器可支持需要高开关频率的这些应用,从而缩短了设计周期。随着合适的驱动器、控制器和模块方案可用于服务器、云和电信等更高功率的应用,那么GaN也将被采用。
关于安森美半导体
安森美半导体(ON Semiconductor,美国纳斯达克上市代号:ON)致力于推动高能效电子的创新,使客户能够减少全球的能源使用。安森美半导体领先于供应基于半导体的方案,提供全面的高能效电源管理、模拟、传感器、逻辑、时序、互通互联、分立、系统单芯片(SoC)及定制器件阵容。公司的产品帮助工程师解决他们在汽车、通信、计算机、消费电子、工业、医疗、航空及国防应用的独特设计挑战。公司运营敏锐、可靠、世界一流的供应链及品质项目,一套强有力的守法和道德规范计划,及在北美、欧洲和亚太地区之关键市场运营包括制造厂、销售办事处及设计中心在内的业务网络。更多信息请访问http://www.onsemi.cn。
安森美半导体和安森美半导体图标是 Semiconductor Components Industries, LLC的注册商标。所有本文中出现的其它品牌和产品名称分别为其相应持有人的注册商标或商标。虽然公司在本新闻稿提及其网站,但此稿并不包含其网站中有关的信息。
在所有电力电子应用中,功率密度是关键指标之一,这主要由更高能效和更高开关频率驱动。随着基于硅的技术接近其发展极限,设计工程师现在正寻求宽禁带技术如氮化镓(GaN)来提供方案。
对于新技术而言,GaN本质上比其将取代的技术(硅)成本低。GaN器件与硅器件是在同一工厂用相同的制造程序生产出。因此,由于GaN器件小于等效硅器件,因此每个晶片可以生产更多的器件,从而降低了每个晶片的成本。
GaN有许多性能优势,包括远高于硅的电子迁移率(3.4eV对比1.1eV),这使其具有比硅高1000倍的电子传导效率的潜力。值得注意的是,GaN的门极电荷(QG)较低,并且由于必须在每个开关周期内对其进行补充,因此GaN能够以高达1 MHz的频率工作,效率不会降低,而硅则难以达到100 kHz以上。此外,与硅不同,GaN没有体二极管,其在AlGaN / GaN边界表面的2DEG可以沿相反方向传导电流(称为“第三象限”操作)。因此,GaN没有反向恢复电荷(QRR),使其非常适合硬开关应用。
图1:GaN经优化实现快速开关
GaN确实具有有限的雪崩能力,并且比硅更容易受到过电压的影响,因此极其适用于漏-源电压(VDS)钳位在轨电压的半桥拓扑。无体二极管使GaN成为硬开关图腾柱功率因数校正(PFC)的很好的选择,并且GaN也非常适用于零电压开关(ZVS)应用,包括谐振LLC和有源钳位反激。
45 W至65 W功率水平的快速充电适配器将得益于基于GaN的有源钳位反激,而基于LLC的GaN用于150 W至300 W的高端笔记本电脑电源适配器中,例如用于游戏的笔记本电脑。在这些应用中,使用GaN技术可使功率密度增加一倍,从而使适配器更小、更轻。特别地,相关的磁性元器件能够减小尺寸。例如,电源变压器内核的尺寸可从RM10减小为RM8的薄型或平面设计。因此,在许多应用中,功率密度增加了一倍甚至三倍,达30 W / in3。
在更高功率的应用中,例如为服务器、云和电信系统供电的电源,尤其是基于图腾柱PFC的电源,采用GaN可使能效超过99%。这使这些系统能够满足最重要的(和严格的)能效标准,如80+ titanium。
驱动GaN器件的方法对于保护相对敏感的栅极氧化物至关重要。在器件导通期间提供精确调节的门极驱动幅值尤为重要。实现此目的的一种方法是添加低压降稳压器(LDO)到现有的硅MOSFET门极驱动器中。但这会损害门极驱动性能,因此,最好使用驱动GaN的专用半桥驱动器。
更具体地说,硅MOSFET驱动器的典型传输延迟时间约为100 ns,这不适合驱动速度在500 kHz到1 MHz之间的GaN器件。对于此类速度,理想情况下,传输延迟应不超过50 ns。
由于电容较低,因此在GaN器件的漏极和源极之间有高电压转换率。这可能导致器件过早失效甚至发生灾难性故障,尤其是在大功率应用中。为避免这种情况,必须有高的dv / dt抗扰度(在100 V / ns的范围内)。
PCB会对GaN设计的性能产生实质性影响,因此经常使用RF型布局中常用的技术。我们还建议对门极驱动器使用低电感封装(如PQFN)。
安森美半导体的NCP51820是业界首款半桥门极驱动器,专门设计用于GaN技术。它具有调节的5.2 V门极驱动,典型的传输延迟仅为25 ns。它具有高达200 V / ns的dv / dt抗扰度,采用低电感PQFN封装。
图2:NCP51820高性能、650 V半桥门极驱动器用于GaN电源开关
最初采用GaN技术并增长的将是如低功率快速充电USB PD电源适配器和游戏类笔记本电脑高功率适配器等应用。这主要归因于有控制器和驱动器可支持需要高开关频率的这些应用,从而缩短了设计周期。随着合适的驱动器、控制器和模块方案可用于服务器、云和电信等更高功率的应用,那么GaN也将被采用。
关于安森美半导体
安森美半导体(ON Semiconductor,美国纳斯达克上市代号:ON)致力于推动高能效电子的创新,使客户能够减少全球的能源使用。安森美半导体领先于供应基于半导体的方案,提供全面的高能效电源管理、模拟、传感器、逻辑、时序、互通互联、分立、系统单芯片(SoC)及定制器件阵容。公司的产品帮助工程师解决他们在汽车、通信、计算机、消费电子、工业、医疗、航空及国防应用的独特设计挑战。公司运营敏锐、可靠、世界一流的供应链及品质项目,一套强有力的守法和道德规范计划,及在北美、欧洲和亚太地区之关键市场运营包括制造厂、销售办事处及设计中心在内的业务网络。更多信息请访问http://www.onsemi.cn。
安森美半导体和安森美半导体图标是 Semiconductor Components Industries, LLC的注册商标。所有本文中出现的其它品牌和产品名称分别为其相应持有人的注册商标或商标。虽然公司在本新闻稿提及其网站,但此稿并不包含其网站中有关的信息。
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