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Vishay 推出高效 80 V MOSFET，导通电阻与栅极电荷乘积即优值系数达到同类产品最佳水平

时间：2020-02-10 15:47来源：21Dianyuan

摘要：器件采用PowerPAK®SO-8单体封装，栅极电荷为55nC，COSS为614pF

• 器件采用PowerPAK® SO-8单体封装，导通电阻降至2.35 mW，栅极电荷为55 nC，COSS为614 pF

宾夕法尼亚、MALVERN — 2020年2月10日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc. （NYSE股市代号：VSH）宣布，推出新款6.15 mm x 5.15 mm PowerPAK® SO-8单体封装的---SiR680ADP，它是80 V TrenchFET® 第四代n沟道功率MOSFET。Vishay Siliconix SiR680ADP专门用来提高功率转换拓扑结构和开关电路的效率，从而节省能源，其导通电阻与栅极电荷乘积，即功率转换应用中MOSFET的重要优值系数（FOM）为129 mW*nC，达到同类产品最佳水平。
 

日前发布的器件10 V条件下导通电阻典型值降至2.35 mΩ，超低栅极电荷仅为55 nC，COSS为614 pF。这些改进后的技术规格，经过调校最大限度降低开关、通道导通和二极管导通功耗，从而提高能效。这款MOSFET的导通电阻与栅极电荷乘积优值系数（FOM）比紧随其后的竞争产品低12.2 %，比前代器件低22.5 %，使其成为典型48 V输入，12 V输出DC/DC转换器最高效的解决方案。
 
SiR680ADP可作为模块用于各种DC/DC和AC/DC转换应用，如同步整流、原边开关、降压-升压转换器，谐振回路开关转换器以及系统OR-ing功能，适用于电信和数据中心服务器电源、太阳能微型逆变器、电动工具和工业设备电机驱动控制、电池管理模块的电池切换。
 
新款MOSFET经过100 % RG和UIS测试，符合RoHS标准，无卤素。
SiR680ADP现可提供样品并已实现量产，供货周期为12周。
 
VISHAY简介
Vishay Intertechnology, Inc. 是在纽约证券交易所上市（VSH）的“财富1000 强企业”，是全球分立半导体（二极管、MOSFET和红外光电器件）和无源电子元件（电阻器、电感器、电容器）的最大制造商之一。这些元器件可用于工业、计算、汽车、消费、通信、国防、航空航天、电源及医疗市场中几乎所有类型的电子设备和装备。凭借产品创新、成功的收购战略，以及“一站式”服务使Vishay成为了全球业界领先者。有关Vishay的详细信息，敬请浏览网站 www.vishay.com。
 
TrenchFET和PowerPAK 是Siliconix公司注册商标。

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