明后两年全球晶圆产能将极速增涨,主要增长点来自于存储芯片
时间:2019-12-25 13:20来源:Expreview超能网
摘要:半导体市场在2017~2018年间出现过存储芯片及部份逻辑芯片缺货的情况,DRAM及NANDFlash价格大涨,存储芯片厂因此大举扩充产能以回应市场的强劲需求,晶圆代工厂及IDM厂也有扩建增加产能的计划。
我们处在一个信息爆炸的时代,而信息的产生与传播离不开基本的硬件载体,根据市场调研机构IC Insights最新研究报告指出,2020年全球将有10座新的12寸晶圆厂进入量产阶段,全球晶圆产能将新增1790万片8寸约当晶圆,2021年新增产能将创历史新高达2080万片8寸约当晶圆。新增产能主要来自于韩国大厂三星及SK海力士,以及长江储存、武汉新芯、华虹宏力等我国大陆半导体厂。
报告指出,自2000年以来,半导体产业是靠着增加晶圆投片量来提高晶片出货量,而利用制程微缩让每片晶圆切割出更多晶片的贡献并不多。事实上,自2000~2019年这20年当中,每片晶圆切割出的良品晶片的每年平均成长率仅0.9%,但透过增加晶圆投片来增加的晶片每年平均成长率达6.5%。总体来看,2000~2019年全球每年新增加的晶片数量,有86%来自晶圆投片量增加,只有14%是来自制程微缩让每片晶圆切割出更多晶片。
半导体市场在2017~2018年间出现过存储芯片及部份逻辑芯片缺货的情况,DRAM及NAND Flash价格大涨,存储芯片厂因此大举扩充产能以回应市场的强劲需求,晶圆代工厂及IDM厂也有扩建增加产能的计划。不过,国际经济情势不确定性导致半导体市场需求降温,2019年存储芯片价格一路走跌,存储芯片厂也暂缓了产能扩充计划,晶圆代工厂及IDM厂的产能利用率也同步下修。IC Insights统计,全球晶圆厂平均产能利用率在2018年达94%,但2019年降至86%。
但是对于半导体厂来说,产能扩充计划没有取消只是延后,其中扩产规模最大的还是来自于存储芯片厂。由于近期DRAM及NAND Flash市况回温,存储芯片厂重启产能扩充计划,2020年及2021年全球新增晶圆产能将大幅增加,等于进入高速扩张期。
据业界消息,以三星为例,为积极扩增3D NAND产能,其位于西安的第二期晶圆厂已完工,预计2020年第一季开始量产,三星位于韩国平泽厂旁的P2厂也已兴建完成,预期2020年下半年进入量产。
半导体市场在2017~2018年间出现过存储芯片及部份逻辑芯片缺货的情况,DRAM及NAND Flash价格大涨,存储芯片厂因此大举扩充产能以回应市场的强劲需求,晶圆代工厂及IDM厂也有扩建增加产能的计划。不过,国际经济情势不确定性导致半导体市场需求降温,2019年存储芯片价格一路走跌,存储芯片厂也暂缓了产能扩充计划,晶圆代工厂及IDM厂的产能利用率也同步下修。IC Insights统计,全球晶圆厂平均产能利用率在2018年达94%,但2019年降至86%。
但是对于半导体厂来说,产能扩充计划没有取消只是延后,其中扩产规模最大的还是来自于存储芯片厂。由于近期DRAM及NAND Flash市况回温,存储芯片厂重启产能扩充计划,2020年及2021年全球新增晶圆产能将大幅增加,等于进入高速扩张期。
据业界消息,以三星为例,为积极扩增3D NAND产能,其位于西安的第二期晶圆厂已完工,预计2020年第一季开始量产,三星位于韩国平泽厂旁的P2厂也已兴建完成,预期2020年下半年进入量产。
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