英飞凌针对准谐振反激式拓扑推出700 V CoolMOSTM P7产品系列

时间:2017-01-24 09:12来源:

摘要:2017年1月23日,德国慕尼黑讯——英飞凌科技股份公司(FSE:IFXOTCQX:IFNNY)针对现在和未来的准谐振反激式拓扑趋势,开发出全新的700VCoolMOSTMP7产品系列。较之目前使用的超级结工艺,这些全新MOSFET实现了前所未有的性能改进。诸如智能手机和平板电脑充电器以及笔记本电脑适配器等软开关拓扑均能受益于此优势。此外,全新CoolMOSTM支持针对电视适配器、照明、音响和辅助电源的快速开关和高功率密度设计。此全新产品系列针对外形进行了改进,可支持纤巧型设计。



2017年1月23日,德国慕尼黑讯—— 英飞凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)针对现在和未来的准谐振反激式拓扑趋势,开发出全新的700V CoolMOSTM P7产品系列。较之目前使用的超级结工艺,这些全新MOSFET实现了前所未有的性能改进。诸如智能手机和平板电脑充电器以及笔记本电脑适配器等软开关拓扑均能受益于此优势。此外,全新CoolMOS TM支持针对电视适配器、照明、音响和辅助电源的快速开关和高功率密度设计。此全新产品系列针对外形进行了改进,可支持纤巧型设计。
 
与竞争对手的产品相比,全新700 V CoolMOS TM P7可将开关损耗(EOSS)降低27%-50%。在反激式充电器应用中,该工艺可将效率提高3.9%。此外,器件温度可降低多达16 K。相比之前的650 V C6,全新工艺可将效率提高2.4%,并将器件温度降低12 K。
 
内置齐纳二极管确保ESD防护性能提高到HBM Class 2等级。客户则可受益于提高的组装成品率,而组装成品率的提高有助于降低与生产相关的故障,最终节省制造成本。此外,由于具有很低的RDS(on)*Qg和RDS(on)*EOSS,700VCoolMOSTMP7具有低损耗特点。相比C6工艺以及某些竞争对手的器件而言,此全新产品系列的阻断电压提高了50 V。
 
700V CoolMOS TM P7在开发过程中一直秉持易用性设计理念,VGSth为3 V,波动范围仅为±0.5 V。这使得全新P7产品系列很容易被纳入设计之中,并能使用更低的栅源电压,从而使其更易于驱动,并降低空载损耗。特别是在价格敏感的细分市场,全新700V CoolMOS TM P7具有诱人的性价比,有助于客户获得更多的竞争优势。
 
供货情况
700V CoolMOS P7产品系列提供最常用的RDS(on)级别和封装组合,RDS(on)范围为360 -1400 mΩ,封装包括IPAK SL、DPAK和TO-220FP等。该超级结工艺RDS(on)级别将会得到进一步补充,并将会与英飞凌的全新封装结合在一起。更多信息敬请访问:www.infineon.com/700V-p7
 
关于英飞凌
英飞凌科技股份公司是全球领先的半导体科技公司,我们让人们的生活更加便利、安全和环保。英飞凌的微电子产品和解决方案将带您通往美好的未来。2016财年(截止9月30日),公司的销售额达65亿欧元,在全球范围内拥有约36,300名员工。英飞凌在法兰克福证券交易所(股票代码:IFX)和美国柜台交易市场 OTCQX International Premier(股票代码:IFNNY)挂牌上市。
 
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英飞凌科技股份公司于1995年正式进入中国市场。自1995年10月在无锡建立第一家企业以来,英飞凌的业务取得非常迅速的增长,在中国拥有约2000名员工,已经成为英飞凌亚太乃至全球业务发展的重要推动力。英飞凌在中国建立了涵盖研发、生产、销售、市场、技术支持等在内的完整的产业链,并在销售、技术研发、人才培养等方面与国内领先的企业、高等院校开展了深入的合作。
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