意法半导体(ST)的650V IGBT可大幅提升20kHz功率转换应用的能效
摘要:中国,2015年7月23日——意法半导体(STMicroelectronics,简称ST;纽约证券交易所代码:STM)推出新款M系列650VIGBT,为电源设计人员提供一个更快捷经济的能效解决方案,适用于暖通空调系统...
中国,2015年7月23日——意法半导体(STMicroelectronics,简称ST;纽约证券交易所代码:STM)推出新款M系列650V IGBT,为电源设计人员提供一个更快捷经济的能效解决方案,适用于暖通空调系统(HVAC)电机驱动、不间断电源、太阳能转换器以及所有的硬开关(hard-switching)电路拓扑20kHz功率转换应用。
采用意法半导体的第三代沟栅式场截止型(trench-gate field-stop)低损耗制造工艺,M系列IGBT有一个全新沟栅(trench gate)和特殊设计的P-N-P垂直结构,可以在导通损耗和开关损耗之间找到了最佳平衡点,从而能够大幅提升晶体管的整体性能。在150°C初始高结温时,最小短路耐受时间为6µs,175°C最大工作结温及宽安全工作范围有助于延长元器件的使用寿命,同时提高对功率耗散有极高要求的应用可靠性。
此外,新产品的封装还集成了新一代续流二极管(Free-wheeling Diode)。新二极管提供快速恢复功能,并同时保持低正向压降和高恢复软度。这项设计不仅可实现优异的EMI保护功能,同时可以有效降低开关损耗。正VCE(sat)温度系数,结合紧密的参数分布,使新产品能够安全并联,并满足更大功率的要求。
M系列产品的主要特性:
● 650V IGBT,大部分竞争产品为600V;
● 低VCE(sat) (1.55V @25°C)电压,能够最大限度降低导通损耗;
● 出色的稳健性,拥有广泛的安全工作范围以及无闩锁现象(latch-free operation);
● 业内最佳的Etot - Vce(sat)平衡比;
● 175°C最大工作结温;
● 高温短路耐受时间最短6µs;
● 电压过冲有限,确保关断期间无振荡;
最新发布的M系列拥有10A及30A两种可选额定电流,提供各种功率封装选择,包括TO-220、D2PAK和TO-247 LL长脚封装,与意法半导体针对高频工业应用研发的HB系列650V IGBT(高达60 kHz)相互补充。新产品已开始量产。欲了解更多详情,请访问www.st.com/igbt
关于意法半导体
意法半导体(STMicroelectronics; ST)是全球领先的半导体解决方案供应商,为客户提供传感器、功率器件、汽车产品和嵌入式处理器解决方案。从能源管理和节能技术,到数字信任和数据安全,从医疗健身设备,到智能消费电子,从家电、汽车,到办公设备,从工作到娱乐,意法半导体的微电子器件无所不在,在丰富人们的生活方面发挥着积极、创新的作用。意法半导体代表着科技引领智能生活(life.augmented)的理念。
意法半导体2014年净收入74.0亿美元。详情请访问公司网站www.st.com。
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