TRINAMIC推出新系列分立MOSFET芯片
摘要:全球领先的步进电机及运动控制供应商TRINAMIC宣布,推出一系列分立MOSFET集成电路芯片,这个系列是特别为TRINAMIC的热门电机驱动和预驱动芯片而设计的互补型产品。该全桥/半桥MOSFET封装是驱动线圈电流峰值在2.5A至5.5A,电压30V至60V之间的步进电机的理想选择。...
全球领先的步进电机及运动控制供应商TRINAMIC宣布,推出一系列分立MOSFET集成电路芯片,这个系列是特别为TRINAMIC的热门电机驱动和预驱动芯片而设计的互补型产品。该全桥/半桥MOSFET封装是驱动线圈电流峰值在2.5A至5.5A,电压30V至60V之间的步进电机的理想选择。
TRINAMIC全新的MOSFETs产品线与热门的TMC262步进电机驱动芯片相配合,完美匹配尺寸在NEMA24和34之间的电机,通常输出1.1至4.4 ft.-lbs.的扭矩。 MOSFET系列与预驱动芯片经过精心设计,实现了最小的功耗与热消耗,为工程设计师提供最简洁的PCB设计。
TRINAMIC的创办人及首席执行官Michael Randt表示:“TRINAMIC提供全线集成MOSFET的步进电机驱动芯片(如TMC2660等),适用于高达2A的峰值电流或尺寸达到NEMA23的电机。客户希望我们能提供适用于更大尺寸和更高扭矩电机的完整解决方案,所以我们开发了预先匹配的分立MOSFET 桥,以满足更高电压和线圈电流的要求。”
TRINAMIC的分立MOSFETs采用CMOS技术,导通内阻RDS在40到70毫欧姆之间,而使用BCDMOS技术的集成MOSFET的典型导通内阻RDS是在200到600毫欧姆之间。因此,集成的驱动/MOSFET组合仅适用于相对较低的电流范围,而分立MOSFET电机驱动芯片则能够支持更高的电压/电流组合。
分立MOSFET优异的导通内阻RDS性能,实现了更高的能效和更低的热耗。通过把电机预驱动和电源MOSFET 桥划分为两个分立器件,工程师可以灵活地设计电路板布局,以满足空间限制和功耗的要求。TRINAMIC亦为设计师提供了数种已验证的PCB布局,来减小电路板尺寸和热消耗。
TRINAMIC授权代理商世健公司的高级产品经理叶虹表示:“该全新的分立MOSFETs系列提高了能源效益,降低热消耗,同时简化了PCB的设计,让TRINAMIC的热门预驱动芯片运作如虎添翼,为客户提供了高成本效益的选择。”
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