可实现2.5kW电源GaN功率器件

时间:2012-11-14 08:39来源:世纪电源网

摘要:富士通半导体近日宣布,利用配备该公司开发的硅基板GaN功率器件的服务器用电源,成功输出了2.5kW的高功率,同时还公布了2013年下半年开始量产硅基板GaN功率器件的目标。该公司将在今后提出利用该器件的多种电源应用方案,力争2015年度凭借GaN功率器件实现约100亿日元的销售额。&...

富士通半导体近日宣布,利用配备该公司开发的硅基板GaN功率器件的服务器用电源,成功输出了2.5kW的高功率,同时还公布了2013年下半年开始量产硅基板GaN功率器件的目标。该公司将在今后提出利用该器件的多种电源应用方案,力争2015年度凭借GaN功率器件实现约100亿日元的销售额。
        富士通半导体表示,该公司为了推进能够通过大口径化来降低成本的硅基板GaN功率器件业务,从2009年就开始开发量产技术。从2011年起该公司还开始向指定的电源业务与合作伙伴提供GaN功率器件的试制品,意在在电源装置领域实现优化应用。
试制的TO247封装GaN器件(左)以及形成有GaN器件的6英寸硅晶圆(右)
图1:试制的TO247封装GaN器件(左)以及形成有GaN器件的6英寸硅晶圆(右)

评测用电源电路
图2:评测用电源电路

        富士通半导体还与富士通研究所共同开发了多项技术。其中包括,在硅基板上生长优质GaN结晶的工艺技术、用来抑制开关时导通电阻上升的电极设计优化等器件技术,以及支持GaN高速开关的电源装置电路设计技术。富士通半导体在采用GaN功率器件的评测用电源电路中,成功获得了超过以往硅器件的转换效率。另外,该公司还试制出了在功率因数改善电路部分配备GaN功率器件的服务器用电源,实际验证了输出2.5kW高功率的工作情况。
        富士通半导体会津若松工厂的6英寸晶圆量产线已完成了启动准备工作,将从2013年下半年开始全面量产GaN功率器件。今后该公司将通过提供针对应用做了优化的GaN功率器件,并在电路设计方面给予技术支持,为开发多种用途的低损失、小型电源装置提供支持。该公司将通过这些举措,力争2015年度凭借GaN功率器件实现约100亿日元的销售额。
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