国际整流器公司(International Rectifier，IR)推出一系列25V及30V组件，采用了IR最新的 HEXFET MOSFET 硅组件和新款PQFN 3 x 3封装，适用于电信系统、网络通讯和高阶桌上型计算机和笔记型计算机应用的DC/DC转换器。

IR的新款高性能PQFN 3 x 3封装是制造技术改进的成果，以全新精密占位空间提供较标准PQFN 3 x 3组件高出最多60%的负载电流效能，同时显著减少整体封装电阻，从而达到极低的导通电阻(RDS(on))。除了低导通电阻，新的高性能PQFN封装加强了热传导性和提高了可靠性，还符合工业标准及MSL1湿度敏感性测试。

新的PQFN封装技术也适用于5 x 6mm占位空间组件，但不用像标准PQFN 5 x 6组件般，在设计要求更多电流时需要增加额外的占位空间。

该系列包括充当控制MOSFET的最佳化组件，提供低闸极导通电阻(Rg)以减少开关损耗。在同步MOSFET应用方面，新组件采用FETKY (单片式FET及肖特基二极管)组态方式供应，从而缩短逆向复原时间，以加强效率和EMI性能。

IR亚太区销售副总裁潘大伟表示：“新的高性能PQFN封装组件系列为DC/DC应用提供经优化、非常可靠灵活的高密度解决方案。此外，随着IR扩展PQFN产品，客户现在可以从众多封装组合中作出适当选择，让他们的设计达到最佳成果。”

新组件的厚度少于1mm，使它们与现有的表面黏着技术兼容，并且拥有行业标准的占位空间，还符合电子产品有害物质限制指令(RoHS)。