英飞凌推出全新车规级750 V EDT2 IGBT,适用于分立式牵引逆变器
时间:2022-03-23 23:17来源:
摘要:英飞凌推出全新车规级750VEDT2IGBT,适用于分立式牵引逆变器【2022年3月21日,德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFXOTCQ
英飞凌推出全新车规级750 V EDT2 IGBT,适用于分立式牵引逆变器
【2022年3月21日,德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)宣布推出采用TO247PLUS封装的全新EDT2 IGBT。该器件专门针对分立式汽车牵引逆变器进行了优化,进一步丰富了英飞凌车规级分立式高压器件的产品阵容。得益于其出色的品质,EDT2 IGBT符合并超越了车规级半导体分立器件应力测试标准AECQ101,因而能够大幅提升逆变器系统的性能和可靠性。该 IGBT采用汽车级微沟槽场中止单元设计,所用技术已成功应用于EasyPACK™ 2B EDT2和HybridPACK™等多款逆变器模块。
为了满足目标应用的要求,英飞凌新推出的EDT2 IGBT产品系列具备出色的抗短路能力。此外,它所采用的TO247PLUS封装具有更大的爬电距离,更有利于进行系统设计。同时,EDT2技术专门针对牵引逆变器进行了优化,击穿电压为750 V,可支持高达470 VDC的电池电压,并显著降低开关和导通损耗。
分立式EDT2 IGBT在100°C的温度条件下运行时,额定电流通常为120 A或200 A,这两款型号均具有极低的正向电压,相比上一代产品,导通损耗降低了13%。其中,额定电流为200 A的AIKQ200N75CP2,在采用TO247Plus封装的分立式IGBT产品中堪称出类拔萃。因此,仅需少量的并联器件,便可实现既定的目标功率等级,同时还可提高功率密度,降低系统成本。
此外,EDT2 IGBT的参数分布非常紧凑。集电极-发射极饱和电压(Vce(sat))的典型值与最大值之间相差不足200 mV,栅极阈值电压(VGEth)也相差不到750 mV。而且饱和电压为正温度系数。总之,这些特性有助于轻松实现并联运行,从而提高最终设计的系统灵活性和功率可扩展性。除此之外,这款IGBT器件还拥有平稳的开关特性、低栅极电荷(QG)和175°C的最高结温温度(Tvjop)等优点。
供货情况
英飞凌新推出的EDT2 IGBT包括AIKQ120N75CP2和AIKQ200N75CP2两种型号,现已开始供货。如需了解更多信息,请访问AIKQ120N75CP2 和 AIKQ200N75CP2。
了解英飞凌为提升能源效率所做出的贡献,请访问:www.infineon.com/green-energy。
关于英飞凌
英飞凌科技股份公司是全球领先的半导体解决方案提供商,致力于让生活更便捷、更安全、更环保。英飞凌的微电子技术是通向美好未来的关键。英飞凌在全球拥有约50,280名员工,2021财年(截至9月30日)的收入约为111亿欧元,是全球十大半导体公司之一。
英飞凌在法兰克福证券交易所(股票代码:IFX)及美国场外交易市场OTCQX International Premier(股票代码:IFNNY)上市。更多信息,请访问www.infineon.com
更多新闻,请登录英飞凌新闻中心:https://www.infineon.com/cms/cn/about-infineon/press/press-releases/
英飞凌中国
英飞凌科技股份公司于1995年正式进入中国大陆市场。自1995年10月在无锡建立第一家企业以来,英飞凌的业务取得非常迅速的增长,在中国拥有约2600名员工,已经成为英飞凌全球业务发展的重要推动力。英飞凌在中国建立了涵盖研发、生产、销售、市场、技术支持等在内的完整的产业链,并在销售、技术研发、人才培养等方面与国内领先的企业、高等院校开展了深入的合作。
【2022年3月21日,德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)宣布推出采用TO247PLUS封装的全新EDT2 IGBT。该器件专门针对分立式汽车牵引逆变器进行了优化,进一步丰富了英飞凌车规级分立式高压器件的产品阵容。得益于其出色的品质,EDT2 IGBT符合并超越了车规级半导体分立器件应力测试标准AECQ101,因而能够大幅提升逆变器系统的性能和可靠性。该 IGBT采用汽车级微沟槽场中止单元设计,所用技术已成功应用于EasyPACK™ 2B EDT2和HybridPACK™等多款逆变器模块。
为了满足目标应用的要求,英飞凌新推出的EDT2 IGBT产品系列具备出色的抗短路能力。此外,它所采用的TO247PLUS封装具有更大的爬电距离,更有利于进行系统设计。同时,EDT2技术专门针对牵引逆变器进行了优化,击穿电压为750 V,可支持高达470 VDC的电池电压,并显著降低开关和导通损耗。
分立式EDT2 IGBT在100°C的温度条件下运行时,额定电流通常为120 A或200 A,这两款型号均具有极低的正向电压,相比上一代产品,导通损耗降低了13%。其中,额定电流为200 A的AIKQ200N75CP2,在采用TO247Plus封装的分立式IGBT产品中堪称出类拔萃。因此,仅需少量的并联器件,便可实现既定的目标功率等级,同时还可提高功率密度,降低系统成本。
此外,EDT2 IGBT的参数分布非常紧凑。集电极-发射极饱和电压(Vce(sat))的典型值与最大值之间相差不足200 mV,栅极阈值电压(VGEth)也相差不到750 mV。而且饱和电压为正温度系数。总之,这些特性有助于轻松实现并联运行,从而提高最终设计的系统灵活性和功率可扩展性。除此之外,这款IGBT器件还拥有平稳的开关特性、低栅极电荷(QG)和175°C的最高结温温度(Tvjop)等优点。
供货情况
英飞凌新推出的EDT2 IGBT包括AIKQ120N75CP2和AIKQ200N75CP2两种型号,现已开始供货。如需了解更多信息,请访问AIKQ120N75CP2 和 AIKQ200N75CP2。
了解英飞凌为提升能源效率所做出的贡献,请访问:www.infineon.com/green-energy。
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英飞凌科技股份公司是全球领先的半导体解决方案提供商,致力于让生活更便捷、更安全、更环保。英飞凌的微电子技术是通向美好未来的关键。英飞凌在全球拥有约50,280名员工,2021财年(截至9月30日)的收入约为111亿欧元,是全球十大半导体公司之一。
英飞凌在法兰克福证券交易所(股票代码:IFX)及美国场外交易市场OTCQX International Premier(股票代码:IFNNY)上市。更多信息,请访问www.infineon.com
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英飞凌中国
英飞凌科技股份公司于1995年正式进入中国大陆市场。自1995年10月在无锡建立第一家企业以来,英飞凌的业务取得非常迅速的增长,在中国拥有约2600名员工,已经成为英飞凌全球业务发展的重要推动力。英飞凌在中国建立了涵盖研发、生产、销售、市场、技术支持等在内的完整的产业链,并在销售、技术研发、人才培养等方面与国内领先的企业、高等院校开展了深入的合作。
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