近日，英飞凌科技股份有限公司 (FSE：IFX/OTCQX：IFNNY) 推出 650 V CoolSiC™ Hybrid IGBT 单管产品组合，具有650 V阻断电压。新款 CoolSiC Hybrid产品系列结合了650 V TRENCHSTOP™ 5 IGBT技术和碳化硅肖特基二极管的主要优点，具备出色的开关速度和更低的开关损耗，特别适用于 DC-DC 功率变换器和PFC电路。其常见应用包括：电动车辆充电设施、储能系统、光伏逆变器、不间断电源系统 (UPS)，以及服务器和电信用开关电源 (SMPS)。
 
由于续流 SiC 肖特基二极管与 IGBT 在共同封装中，在 dv/dt 和 di/dt 值几乎不变情况下，CoolSiC Hybrid IGBT能大幅降低开关损耗。与标准的硅二极管解决方案相比，新产品可降低多达 60% 的 E_on 和30%的E_off。或者，也可在输出功率保持不变情况下，提高开关频率至少40%。较高的开关频率有助于缩小无源元件的尺寸，进而降低物料清单成本。该Hybrid IGBT可直接替代TRENCHSTOP5 IGBT，无需重新设计，便能使每10 kHz开关频率提升0.1%的效率。
 
此产品系列可作为纯硅解决方案和高性能SiC MOSFET设计之间的另一种选择，与纯硅设计相比，Hybrid IGBT可提升电磁相容性和系统可靠性。由于SiC肖特基二极管能快速换流，而不会有严重的振荡和寄生导通的风险。此系列提供TO-247-3或TO-247-4引脚的Kelvin Emitter封装供客户选择。Kelvin Emitter封装的第四管脚可实现超低电感的栅极驱动控制回路，并降低总开关损耗。