英飞凌推出全新 650 V CoolSiC Hybrid IGBT 单管,进一步提高效率

时间:2021-02-23 18:53来源:

摘要:【2021年2月23日,德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司(FSE:IFXOTCQX:IFNNY)推出650V关断电压的CoolSiCHybridIGBT单管。新款CoolSiC

【2021年2月23日,德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司 (FSE:IFX/OTCQX:IFNNY) 推出 650 V 关断电压的 CoolSiC Hybrid IGBT 单管。新款 CoolSiC Hybrid IGBT 结合了 650 V TRENCHSTOP 5 IGBT及CoolSiC肖特基势垒二极管的主要优点,具有出色的开关频率和更低的开关损耗,特别适用于 DC-DC 和功率因数校正 (PFC)。其常见应用包括:电池充电基础设施、储能系统、光伏逆变器、不间断电源 (UPS),以及服务器和电信开关电源 (SMPS)。
 
由于 IGBT反并联SiC 肖特基势垒二极管,在 dv/dt 和 di/dt 值几乎不变下,CoolSiC Hybrid IGBT能大幅降低开关损耗。与标准的Si二极管解决方案相比,新产品可降低多达60%的Eon和30%的Eoff。也可在输出功率保持不变下,开关频率提高至少 40%。较高的开关频率有助于减小无源器件的尺寸,进而降低物料成本。该 Hybrid IGBT 可直接替代 TRENCHSTOP 5 IGBT,无需重新设计,便能使每10 kHz开关频率提升 0.1% 的效率。
 
此产品系列可作为全Si解决方案和高效能 SiC MOSFET 设计之间的衔接,与全Si设计相比,Hybrid IGBT可提升电磁兼容性和系统可靠性。由于SiC肖特基势垒二极管的单极性特性,使二极管能快速开关,而不会有严重的振荡和寄生导通的风险。此系列提供 TO-247-3或 TO-247-4 引脚的 Kelvin Emitter 封装供客户选择。Kelvin Emitter 封装的第四引脚可实现超低电感的栅极发射极控制回路,并降低总开关损耗。
 
供货情况
CoolSiC Hybrid IGBT 单管延续之前采用 IGBT 与 CoolSiC肖特基势垒二极管的 CoolSiC Hybrid IGBT EasyPACK 1B 和 2B 模块的成功经验。此单管产品组合即日起接受订购。产品组合包含反并联半电流CoolSiC第 6 代SiC二极管的 40A、50A 和 75A 650 V TRENCHSTOP 5 超高速 H5 IGBT,或反并联全电流 CoolSiC第 6 代SiC二极管的快速 S5 IGBT。详细信息敬请访问:www.infineon.com/coolsic- hybrid-discretes
 
关于英飞凌
英飞凌科技股份公司是全球领先的半导体科技公司,我们让人们的生活更加便利、安全和环保。英飞凌的微电子产品和解决方案将带您通往美好的未来。2020财年(截止9月30日),公司的销售额达85亿欧元,在全球范围内拥有约46,700名员工。2020年4月,英飞凌正式完成了对赛普拉斯半导体公司的收购,成功跻身全球十大半导体制造商之一。
英飞凌在法兰克福证券交易所(股票代码:IFX)和美国柜台交易市场 OTCQX International Premier(股票代码:IFNNY)挂牌上市。更多信息,请访问www.infineon.com
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英飞凌中国
英飞凌科技股份公司于1995年正式进入中国大陆市场。自1995年10月在无锡建立第一家企业以来,英飞凌的业务取得非常迅速的增长,在中国拥有约2000名员工,已经成为英飞凌全球业务发展的重要推动力。英飞凌在中国建立了涵盖研发、生产、销售、市场、技术支持等在内的完整的产业链,并在销售、技术研发、人才培养等方面与国内领先的企业、高等院校开展了深入的合作。
 
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