其他公司也在开发类似的相变存储技术，日前SK海力士宣布他们在下一代相变内存芯片中获得了重要突破，首次应用了PUC(peri under cell)技术，全新开发的算法使得相变内存在性能及成本上都极具竞争力。
 

SK海力士团队负责人Lee Hyung-dong表示，PUC技术将外围电路放在存储单元的下方，以减少芯片尺寸，提高生产率。与10nm以下的存储芯片相比，PRAM在扩展方面的限制较少。
 

不过SK海力士虽然在技术层面上的突破使得他们的下一代存储芯片有可能跟傲腾一教高下，但是他们并没有给出量产时间，看样子还要等很长时间，在这一点上傲腾依然是无敌的。