创新引领发展、合作共赢未来——2020 中欧第三代半导体产业高峰论坛在深圳成功召开
时间:2020-11-23 14:32来源:21 Dianyuan
摘要:深圳第三代半导体研究院副院长徐群在致辞中提到,第三代半导体是半导体产业的重要组成部分,其发展壮大对国民经济、国防安全、国际竞争、社会民生等领域均具有重要战略意义,也是当今世界国际社会科技竞争的焦点之一,期待以此次论坛为契机,拓展中欧合作渠道,搭建好第三代半导体科技创新发展的平台,为推动产业创新创业发展提供有力的技术和人才支持。
11月20日,由中国科学技术协会与深圳市人民政府共同主办,中国科协企业创新服务中心、深圳市科学技术协会等单位承办,深圳市科技开发交流中心、深圳中欧创新中心等单位执行,基本半导体等单位协办的“2020中欧科技创新合作发展论坛”分论坛——“2020中欧第三代半导体产业高峰论坛”在深圳五洲宾馆隆重举行。论坛围绕第三代半导体行业的国际合作、市场热点和技术前沿话题,邀请中外半导体领域专家学者进行经验分享,探讨中欧半导体合作发展新路径。
深圳市科学技术协会副主席张治平在致辞中表示,深圳市政府高度重视半导体产业的发展,推动成立了深圳第三代半导体研究院、南方科技大学深港微电子学院等科研机构,聚集了青铜剑科技、基本半导体等一批第三代半导体领域的创新型企业,新一代电子信息技术产业已经成为深圳创新发展的中坚力量。深圳市科协将以科创中国试点城市建设为契机,充分发挥科协系统的优势,构建“基础研究+技术攻关+成果产业化+科技金融+人才支撑”全过程的创新产业链,推动第三代半导体产业深入发展,打造科技经济融合的样板间。
深圳第三代半导体研究院副院长徐群在致辞中提到,第三代半导体是半导体产业的重要组成部分,其发展壮大对国民经济、国防安全、国际竞争、社会民生等领域均具有重要战略意义,也是当今世界国际社会科技竞争的焦点之一,期待以此次论坛为契机,拓展中欧合作渠道,搭建好第三代半导体科技创新发展的平台,为推动产业创新创业发展提供有力的技术和人才支持。
基本半导体总经理和巍巍博士表示公司非常重视研发和技术人才的培养,目前已经打造了一支由十余位博士组成的国际化研发团队,同时希望联合上下游企业,从全产业链的角度深入了解碳化硅功率器件失效的产生以及相应的机理,以提高国产器件的可靠性。
南方科技大学深港微电子学院院长于洪宇教授提到,氮化镓特别适合高频、高压和高功率的应用,今年氮化镓出货量以快充为爆发点,未来在服务器、电动汽车市场将出现更多的应用,机构预测在2025年左右功率器件市场可能会达到两三百亿人民币的市场规模。
剑桥大学电力电子应用实验室主任龙腾教授在题为《充分发挥宽禁带器件在电力转换应用中的潜力》的演讲中,详细介绍了碳化硅器件在车载充电机和电动汽车牵引逆变器中的应用,以及电动汽车无线电能传输和数据中心的超高功率密度48V直流系统等设备。
此外,意大利那不勒斯费德里克二世大学电子学教授阿德里安·艾尔斯(Andrea Irace)介绍了非安全工作区内碳化硅功率MOSFET的建模和特性表征,法国阿尔法RLH光电与微波集群技术专家帕崔斯·佳曼德(Patrice Gamand)、欧洲最大的微电子集群硅萨克森尼集群总经理弗兰克·博森伯格(Frank Bösenberg)、博世传感器业务部中国区市场总监扶彬围绕集群产业支持和半导体创新、欧洲和全球半导体产业价值链与合作机遇等方面的话题作了精彩分享。
在圆桌论坛环节,清华大学电机系党委副书记郑泽东、青铜剑科技集团董事长汪之涵博士、古瑞瓦特副总裁吴良材、一汽股权投资部门负责人梁一功、正轩投资创始合伙人王海全从基础研究、产业链合作、行业应用和投资市场等方面探讨国家新基建与双循环战略下,第三代半导体产业面临的挑战和机遇。
中欧第三代半导体产业高峰论坛已经连续四年成功举办,成为中欧第三代半导体学术交流、产业合作的创新发展平台。在新基建和国内国外双循环战略的推动下,中国第三代半导体将深度参与全球半导体产业链,激发创新活力,迎来产业发展爆发期。
深圳市科学技术协会副主席张治平在致辞中表示,深圳市政府高度重视半导体产业的发展,推动成立了深圳第三代半导体研究院、南方科技大学深港微电子学院等科研机构,聚集了青铜剑科技、基本半导体等一批第三代半导体领域的创新型企业,新一代电子信息技术产业已经成为深圳创新发展的中坚力量。深圳市科协将以科创中国试点城市建设为契机,充分发挥科协系统的优势,构建“基础研究+技术攻关+成果产业化+科技金融+人才支撑”全过程的创新产业链,推动第三代半导体产业深入发展,打造科技经济融合的样板间。
深圳第三代半导体研究院副院长徐群在致辞中提到,第三代半导体是半导体产业的重要组成部分,其发展壮大对国民经济、国防安全、国际竞争、社会民生等领域均具有重要战略意义,也是当今世界国际社会科技竞争的焦点之一,期待以此次论坛为契机,拓展中欧合作渠道,搭建好第三代半导体科技创新发展的平台,为推动产业创新创业发展提供有力的技术和人才支持。
基本半导体总经理和巍巍博士表示公司非常重视研发和技术人才的培养,目前已经打造了一支由十余位博士组成的国际化研发团队,同时希望联合上下游企业,从全产业链的角度深入了解碳化硅功率器件失效的产生以及相应的机理,以提高国产器件的可靠性。
南方科技大学深港微电子学院院长于洪宇教授提到,氮化镓特别适合高频、高压和高功率的应用,今年氮化镓出货量以快充为爆发点,未来在服务器、电动汽车市场将出现更多的应用,机构预测在2025年左右功率器件市场可能会达到两三百亿人民币的市场规模。
剑桥大学电力电子应用实验室主任龙腾教授在题为《充分发挥宽禁带器件在电力转换应用中的潜力》的演讲中,详细介绍了碳化硅器件在车载充电机和电动汽车牵引逆变器中的应用,以及电动汽车无线电能传输和数据中心的超高功率密度48V直流系统等设备。
此外,意大利那不勒斯费德里克二世大学电子学教授阿德里安·艾尔斯(Andrea Irace)介绍了非安全工作区内碳化硅功率MOSFET的建模和特性表征,法国阿尔法RLH光电与微波集群技术专家帕崔斯·佳曼德(Patrice Gamand)、欧洲最大的微电子集群硅萨克森尼集群总经理弗兰克·博森伯格(Frank Bösenberg)、博世传感器业务部中国区市场总监扶彬围绕集群产业支持和半导体创新、欧洲和全球半导体产业价值链与合作机遇等方面的话题作了精彩分享。
在圆桌论坛环节,清华大学电机系党委副书记郑泽东、青铜剑科技集团董事长汪之涵博士、古瑞瓦特副总裁吴良材、一汽股权投资部门负责人梁一功、正轩投资创始合伙人王海全从基础研究、产业链合作、行业应用和投资市场等方面探讨国家新基建与双循环战略下,第三代半导体产业面临的挑战和机遇。
中欧第三代半导体产业高峰论坛已经连续四年成功举办,成为中欧第三代半导体学术交流、产业合作的创新发展平台。在新基建和国内国外双循环战略的推动下,中国第三代半导体将深度参与全球半导体产业链,激发创新活力,迎来产业发展爆发期。
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