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eGaN®FET 实现 98% 效率、250 W/48 V 的 DC/DC 解决方案， 用于超薄且有高密度的计算应用

时间：2020-10-29 09:00来源：21 Dianyuan

摘要：基于宜普电源转换公司（EPC）超高效eGaN®FET的两种高功率密度DCDC转换器，推动超薄笔记本电脑、显示器、高端游戏系统和其它纤薄型消费电子产品实现高效解决方案

宜普电源转换公司（EPC）宣布推出用于48 V DC/DC转换的EPC9148和EPC9153演示板。 EPC9153是一款250 W超薄电源模块，采用简单且低成本的同步降压配置，峰值效率高达98.2％，元件的最大厚度为6.5 毫米。EPC9148使用多电平拓扑结构，元件的最大厚度小于4 毫米，峰值效率为98％。


该两款演示板集成了Microchip公司的dsPIC33CK数字信号控制器（DSC）和EPC公司最新一代100 V氮化镓场效应晶体管，具有超薄外形尺寸，在12.5 A时，实现超过 98％的效率。由于Microchip数字控制器具有高灵活性，因此允许在44 V~60 V范围内调节输入电压，而输出电压在5 V~20 V范围内。

EPC9148多电平转换器缩小了支持磁性元件的模块尺寸，同时在紧凑的解决方案中，实现高效率。EPC9148演示板的亮点之一是采用Würth Elektronik的超薄功率电感器，从而实现具有超高功率密度的设计。

EPC9153演示板提供简单且低成本的同步降压配置，从而使元件可以实现纤薄的最大厚度、98.2％的峰值效率和在20 V输出时，上升温度少于40°C。eGaN FET凭借其快速的开关性能，提高整体效率，而它的芯片级占位面积使其易于散热，从而实现紧凑型设计所需的低上升温度。

EPC公司应用工程副总裁Michael de Rooij说：“计算机、显示器、智能电话和其它消费电子系统变得越来越纤薄，功能却越来越强大。我们很高兴与Microchip Technology和Würth Elektronik合作，开发超薄且高效的解决方案，以应对在有限的空间和体积内取得更高的功率的挑战。”

宜普电源转换公司是基于增强型氮化镓的功率管理器件的领先供货商，为首家公司推出替代功率MOSFET器件的硅基增强型氮化镓(eGaN)场效应晶体管及集成电路，其目标应用包括直流- 直流转换器、 无线电源传送、 包络跟踪、射频传送、功率逆变器、激光雷达（LiDAR） 及 D类音频放大器等应用，器件性能比最好的硅功率MOSFET器件高出很多倍。此外，宜普公司正在扩大基于eGaN IC的产品系列，为客户提供进一步节省占板面积、节能及节省成本
 
的解决方案。详情请访问我们的网站，网址为www.epc-co.com.cn。eGaN® 是Efficient Power Conversion Corporation宜普电源转换公司的注册商标。
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