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新的N沟道碳化硅MOSFET支持加速开关(上升时间仅10ns)。导通电阻数值下降到了20mΩ，门极电荷值更低。功耗更小。该系列产品更加稳健，能够应对超高电流浪涌脉冲。它们的电介质击穿场强比同等硅场效应晶体管大一个量级，工作温度介于-55°C至+175°C。
 

该系列1200V的安森美碳化硅MOSFET采用表面贴装D2PAK7封装和TO247封装。它们不含铅，完全符合RoHS环保要求并100%接受了UIL测试。主要应用包括不间断电源、电动车充电站、直流/直流转换器、电机控制系统及太阳能逆变器。
 

目前，该系列N沟道碳化硅场效应晶体管碳化硅MOSFET可在RS中国和RS日本的官网上采购。
 

关于欧时电子元件

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