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独树一帜：英飞凌开发出先进的硫化氢保护功能，延长 IGBT 模块的使用寿命

时间：2020-07-09 15:41来源：21 Dianyuan

摘要：硫化氢对于功率半导体而言，是最具威胁的腐蚀性污染物。IGBT模块在运行期间温度通常会上升形成高温，再加上施加的电压和硫化氢污染，会发生反应生成硫化铜（Cu2S）晶体。

【2020年7月9日，德国慕尼黑讯】耐用性决定了模块在恶劣环境下的使用寿命和可靠性。特别是当暴露于硫化氢（H2S）中时，电子元件的寿命会受到很大的影响。为了应对这一威胁，英飞凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）开发出了一项独特的保护功能。采用TRENCHSTOP™ IGBT4芯片组的EconoPACK™+模块是Econo系列中率先具备这一全新保护特性的产品，适用于逆变器应用。硫化氢达到临界水平的恶劣环境在造纸、采矿、废水、石化加工以及橡胶业中尤为常见。 
 
硫化氢对于功率半导体而言，是最具威胁的腐蚀性污染物。IGBT模块在运行期间温度通常会上升形成高温，再加上施加的电压和硫化氢污染，会发生反应生成硫化铜（Cu2S）晶体。这种导电结构会在陶瓷基板DCB上的覆铜的沟槽内蔓延，最坏的情况是会引发短路。IGBT模块过早地发生故障，会导致逆变器的寿命大打折扣。英飞凌先进的硫化氢保护功能能够防止硫化氢进入模块敏感区域。这个方法不仅独一无二，效率也很高。
 
与此同时，模块的所有电气、热学和机械参数均未发生改变，同时还保留了和标准模块一样的属性，这便延长了在恶劣环境下运行的系统的寿命。为了确认这一点，英飞凌根据ISA 71.04-2013标准，设计了一个专有的HV-H2S测试，来证明IGBT模块能够在特定条件下运行。该标准根据污染影响的严重程度从“轻度（G1）”到“重度（GX）”划分了四个级别。英飞凌的测试涵盖了广泛的工业应用，为评估IGBT模块的可靠性，提供了一个可量化的方法。
 
在英飞凌硫化氢技术的保护下，IGBT模块在HV-H2S指定测试条件下未显示出枝晶生长，因此，根据ISA 71.04标准，在“G3（严重）”等级上限（≤ 2000 Å / 50 ppb）条件下， IGBT模块预计可使用20年。具有该保护功能的EconoPACK+可轻松替换标准模块，无需成本高昂且费时的设计工作。此外，借助该功能，使用逆变器系统的公司可省去一些额外的保护措施，比如在逆变器的安装区域乃至密封柜增设空调、温度和湿度控制。
 
供货情况
具有先进的硫化氢保护功能的EconoPACK+模块现可批量订购，其中电压为1200V的有300A和450A两个型号可供选择，电压为1700V的有300A和500A两个型号可供选择。EconoPIM 2和EconoPIM 3的样品同样可供订购。更多信息，请访问www.infineon.com/h2s。
 
关于英飞凌
英飞凌科技股份公司是全球领先的半导体科技公司，我们让人们的生活更加便利、安全和环保。英飞凌的微电子产品和解决方案将带您通往美好的未来。2019财年（截止9月30日），公司的销售额达80亿欧元，在全球范围内拥有约41,400名员工。英飞凌在法兰克福证券交易所（股票代码：IFX）和美国柜台交易市场 OTCQX International Premier（股票代码：IFNNY）挂牌上市。
 
英飞凌中国
英飞凌科技股份公司于1995年正式进入中国大陆市场。自1995年10月在无锡建立第一家企业以来，英飞凌的业务取得非常迅速的增长，在中国拥有约2000名员工，已经成为英飞凌全球业务发展的重要推动力。英飞凌在中国建立了涵盖研发、生产、销售、市场、技术支持等在内的完整的产业链，并在销售、技术研发、人才培养等方面与国内领先的企业、高等院校开展了深入的合作。
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