东芝面向汽车 ECU 推出 MOSFET 栅极驱动器开关 IPD
时间:2020-05-14 17:26来源:21 Dianyuan
摘要:该产品可用于控制接线盒和车身控制模块等车载控制单元(ECU)的供电电流的通断,并计划于今日开始出货。
中国上海,2020年5月14日——东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,推出栅驱动器开关IPD[1]“TPD7107F”。该产品可用于控制接线盒和车身控制模块等车载控制单元(ECU)的供电电流的通断,并计划于今日开始出货。
TPD7107F采用东芝的汽车级低导通电阻N沟道MOSFET[2],适用于负载电流的高侧开关。作为一种电子开关,这种新型IPD能够避免机械继电器的触头磨损,有助于缩小车载ECU的尺寸并降低功耗,同时还提供免维护功能。
通过提供增强功能(自我保护功能和输出到微控制器的各种内置诊断功能)以支持车载ECU所需的高可靠性。这款新型IPD能够监控负载运行和与之连接的MOSFET。当运行发生异常时,它能迅速关断MOSFET[3],以减少MOSFET上的负载。
TPD7107F采用了WSON10A[4]封装,并由于内置升压电路,可减少了电容器等外围器件的使用。这款新型IPD在待机状态下的耗电量仅为3μA(最大值)。
应用:
车载设备
・ECU(车身控制模块、接线盒等)
・配电模块
・半导体继电器
特性:
・通过AEC-Q100认证
・能够根据负载电流,与低导通电阻N沟道MOSFET[2]搭配使用
・内置升压电路,减少无源外围器件的使用
・内置保护功能和诊断输出功能
(电压异常、过流、过热、电源反接、接地端断路保护以及VDD负载线短路等)
主要规格:
(除非另有说明,@Ta=25℃)
注释:
[1] IPD(智能功率器件)
[2] 兼容器件示例:TPHR7904PB(40V/150A)、TPH1R104PB(40V/120A)
[3] 高速断态电流(典型值:237mA)
[4] WSON10A:3.0×3.0mm(典型值)
如需了解相关新产品的更多信息,请访问以下网址:
https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/product/optoelectronics/detail.TPD7107F.html
如需了解相关东芝车载驱动IC的更多信息,请访问以下网址:https://toshiba.semicon-storage.com/cn/semiconductor/product/intelligent-power-ics/automotive-driver-ics.html
关于东芝电子元件及存储装置株式会社
东芝电子元件及存储装置株式会社,主要从事电子元器件事业和存储产品事业。其中电子元器件事业包含占市场大份额的分立器件、以及业界先进的系统LSI。在分立半导体领域,集中力量在控制设备功耗的功率器件等产品。在系统LSI领域,通过用于物联网、汽车电子、通信和电源应用领域的LSI产品,推动全球电子设备的发展。存储产品事业主要在机械硬盘(HDD)领域,着重开发面向数据中心等企业级大容量存储产品。东芝通过加强电子元器件事业和存储产品事业,为支持和推动智能社区和智能生活的建设提供广泛的半导体解决方案及应用。
更多信息请访问:https://toshiba-semicon-storage.com
TPD7107F产品示意图
TPD7107F采用东芝的汽车级低导通电阻N沟道MOSFET[2],适用于负载电流的高侧开关。作为一种电子开关,这种新型IPD能够避免机械继电器的触头磨损,有助于缩小车载ECU的尺寸并降低功耗,同时还提供免维护功能。
通过提供增强功能(自我保护功能和输出到微控制器的各种内置诊断功能)以支持车载ECU所需的高可靠性。这款新型IPD能够监控负载运行和与之连接的MOSFET。当运行发生异常时,它能迅速关断MOSFET[3],以减少MOSFET上的负载。
TPD7107F采用了WSON10A[4]封装,并由于内置升压电路,可减少了电容器等外围器件的使用。这款新型IPD在待机状态下的耗电量仅为3μA(最大值)。
应用:
车载设备
・ECU(车身控制模块、接线盒等)
・配电模块
・半导体继电器
特性:
・通过AEC-Q100认证
・能够根据负载电流,与低导通电阻N沟道MOSFET[2]搭配使用
・内置升压电路,减少无源外围器件的使用
・内置保护功能和诊断输出功能
(电压异常、过流、过热、电源反接、接地端断路保护以及VDD负载线短路等)
主要规格:
(除非另有说明,@Ta=25℃)
器件型号 | TPD7107F | ||
封装 | WSON10A | ||
绝对最大额定值 | 供电电压VDD(1)(V) | -16至+26 | |
供电电压VDD(2)(V) | @t≤400ms | -36至+36 | |
供电电压VD(3)(V) | @t≤20ms | -40至+40 | |
输入电压VIN(1)(V) | -16至+26 | ||
输入电压VIN(2)(V) | @t≤400ms | -36至+36 | |
输入电压VIN(3)(V) | @t≤20ms | -40至+40 | |
输出拉电流IGATE(+)(mA) | 内部容量 | ||
输出灌电流IGATE(-)(mA) | 5 | ||
功率损耗 PD(W) | 1.84 | ||
工作温度Topr(℃) | -40至+125 | ||
工作范围 | 工作电源电压VDD(V) | @Tj=-40至+125℃ | 5.75至26.00 |
注释:
[1] IPD(智能功率器件)
[2] 兼容器件示例:TPHR7904PB(40V/150A)、TPH1R104PB(40V/120A)
[3] 高速断态电流(典型值:237mA)
[4] WSON10A:3.0×3.0mm(典型值)
如需了解相关新产品的更多信息,请访问以下网址:
https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/product/optoelectronics/detail.TPD7107F.html
如需了解相关东芝车载驱动IC的更多信息,请访问以下网址:https://toshiba.semicon-storage.com/cn/semiconductor/product/intelligent-power-ics/automotive-driver-ics.html
关于东芝电子元件及存储装置株式会社
东芝电子元件及存储装置株式会社,主要从事电子元器件事业和存储产品事业。其中电子元器件事业包含占市场大份额的分立器件、以及业界先进的系统LSI。在分立半导体领域,集中力量在控制设备功耗的功率器件等产品。在系统LSI领域,通过用于物联网、汽车电子、通信和电源应用领域的LSI产品,推动全球电子设备的发展。存储产品事业主要在机械硬盘(HDD)领域,着重开发面向数据中心等企业级大容量存储产品。东芝通过加强电子元器件事业和存储产品事业,为支持和推动智能社区和智能生活的建设提供广泛的半导体解决方案及应用。
更多信息请访问:https://toshiba-semicon-storage.com
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