Transphorm 和微芯科技将高可靠性 GaN 和数字信号处理技术相结合以推动 GaN 普及
时间:2020-04-09 15:32来源:21Dianyuan
摘要:采用dsPIC®DSC快速跟踪电源系统开发的4kWPFCGaN评估板,并提供全球技术支持
首家获得JEDEC和AEC-Q101认证、具有最高可靠性的氮化镓(GaN)半导体的设计和制造领导者Transphorm Inc.今日宣布,该公司已与领先的微控制器提供商微芯科技公司(Microchip Technology Inc.) (NASDAQ: MCHP)合作。此次合作将微芯科技dsPIC33CK数字信号控制器板与Transphorm的4 kW交流-直流图腾柱无桥功率因数(PFC)评估板相整合,后者采用该公司最新的第四代GaN技术。基于Transphorm的应用程序支持功能,微芯科技的全球技术支持团队还将为使用集成Transphorm解决方案的开发人员提供服务。
因此,客户将能够获得提供超过99%的效率及现成预编程固件的评估板,该评估板现在得到全球支持团队的支持,可进一步简化交流-直流电源系统设计。
Transphorm全球技术营销与北美销售副总裁Philip Zuk表示:“Transphorm与微芯科技的合作将颠覆格局。 使用图腾柱无桥功率因数校正功能的GaN电源系统的控制要求与用于控制传统CCM升压型PFC的控制要求不同,这对某些原始设计制造商(ODM)而言一直是新的挑战。如今,两家行业领导者已通过合作弥补这一知识缺口。我们为客户提供由世界一流的全球支持团队支持的颠覆性GaN解决方案。”
微芯科技的dsPIC数字信号控制器(DSC)由一系列嵌入式设计工具支持,这些工具旨在为开发人员,甚至是专业知识有限的开发人员提供支持。这些工具提供直观的图形用户界面,用于在微芯科技免费的MPLAB® X集成开发环境中将设备初始化。这些软件工具通过全套编程器、调试器和仿真器附件得以完善。
技术规格
集成DSC的解决方案用于Transphorm的TDTTP4000W066C-KIT,特色如下:
• 650 V 35 mΩ第四代GaN FET (TP65H035G4WS)
• 输入电压:85 VAC至265 VAC,47Hz至63Hz
• 输入电流:18 Arms;115VAC时2 kW,230 VAC时4 kW
• 输出电压:387 VDC ± 5 VDC(可编程)
• 延迟时间:可编程
• 脉宽调制(PWM)频率:66kHz
• 功率因数:> 0.99
该评估板围绕微芯科技的dsPIC33CK数字电源插入式模块(PIM)设计,用于控制PFC动力总成。该套件包括一个预编程的PIM,特色如下:
• 微芯科技经AEC-Q100认证的dsPIC33CK256MP506数字信号控制器
• 100 MIPS,在时间关键型控制应用中提供更快的固定性能
• 双闪面板–在接通电源时进行实时代码更新
• 高模拟集成,可降低物料清单(BOM)成本并将系统尺寸最小化
• 分辨率250 ps的PWM
微芯科技MCU16副总裁Joe Thomsen表示:“微芯科技的dsPIC DSC旨在满足与新型数字电源拓扑相关的严苛控制需求。我们很自豪能够携手志同道合的行业颠覆者Transphorm为我们的客户提供此参考设计,包括Transphorm可靠的GaN器件。我们的dsPIC33CK PIM将为工程师提供众多设计人员设计大功率解决方案所需的灵活性和全球支持。”
关于Transphorm, Inc.
GaN革命方面的全球领导者Transphorm, Inc. (www.transphormusa.com)设计和制造用于高压电源转换应用的具备最高效能和最高可靠性的高压氮化镓(GaN)半导体。Transphorm拥有最大的功率GaN IP组合之一,生产业界唯一获得JEDEC和AEC-Q101认证的GaN FET。其垂直整合业务模式有助于在每个开发阶段进行创新:设计、制造、器件和应用支持。Twitter: @transphormusa
所有商标均为其各自所有者的财产。
因此,客户将能够获得提供超过99%的效率及现成预编程固件的评估板,该评估板现在得到全球支持团队的支持,可进一步简化交流-直流电源系统设计。
Transphorm全球技术营销与北美销售副总裁Philip Zuk表示:“Transphorm与微芯科技的合作将颠覆格局。 使用图腾柱无桥功率因数校正功能的GaN电源系统的控制要求与用于控制传统CCM升压型PFC的控制要求不同,这对某些原始设计制造商(ODM)而言一直是新的挑战。如今,两家行业领导者已通过合作弥补这一知识缺口。我们为客户提供由世界一流的全球支持团队支持的颠覆性GaN解决方案。”
微芯科技的dsPIC数字信号控制器(DSC)由一系列嵌入式设计工具支持,这些工具旨在为开发人员,甚至是专业知识有限的开发人员提供支持。这些工具提供直观的图形用户界面,用于在微芯科技免费的MPLAB® X集成开发环境中将设备初始化。这些软件工具通过全套编程器、调试器和仿真器附件得以完善。
技术规格
集成DSC的解决方案用于Transphorm的TDTTP4000W066C-KIT,特色如下:
• 650 V 35 mΩ第四代GaN FET (TP65H035G4WS)
• 输入电压:85 VAC至265 VAC,47Hz至63Hz
• 输入电流:18 Arms;115VAC时2 kW,230 VAC时4 kW
• 输出电压:387 VDC ± 5 VDC(可编程)
• 延迟时间:可编程
• 脉宽调制(PWM)频率:66kHz
• 功率因数:> 0.99
该评估板围绕微芯科技的dsPIC33CK数字电源插入式模块(PIM)设计,用于控制PFC动力总成。该套件包括一个预编程的PIM,特色如下:
• 微芯科技经AEC-Q100认证的dsPIC33CK256MP506数字信号控制器
• 100 MIPS,在时间关键型控制应用中提供更快的固定性能
• 双闪面板–在接通电源时进行实时代码更新
• 高模拟集成,可降低物料清单(BOM)成本并将系统尺寸最小化
• 分辨率250 ps的PWM
微芯科技MCU16副总裁Joe Thomsen表示:“微芯科技的dsPIC DSC旨在满足与新型数字电源拓扑相关的严苛控制需求。我们很自豪能够携手志同道合的行业颠覆者Transphorm为我们的客户提供此参考设计,包括Transphorm可靠的GaN器件。我们的dsPIC33CK PIM将为工程师提供众多设计人员设计大功率解决方案所需的灵活性和全球支持。”
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GaN革命方面的全球领导者Transphorm, Inc. (www.transphormusa.com)设计和制造用于高压电源转换应用的具备最高效能和最高可靠性的高压氮化镓(GaN)半导体。Transphorm拥有最大的功率GaN IP组合之一,生产业界唯一获得JEDEC和AEC-Q101认证的GaN FET。其垂直整合业务模式有助于在每个开发阶段进行创新:设计、制造、器件和应用支持。Twitter: @transphormusa
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