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三星明年完成 3nm GAA 工艺开发 性能大涨 35%

时间：2019-09-11 14:42来源：21Dianyuan

摘要：在3nm节点，三星将从FinFET晶体管转向GAA环绕栅极晶体管工艺，其中3nm工艺使用的是第一代GAA晶体管，官方称之为3GAE工艺。

尽管日本严格管制半导体材料多少都会影响三星的芯片、面板研发、生产，但是上周三星依然在日本举行了“三星晶圆代工论坛”SFF会议，公布了旗下新一代工艺的进展，其中3nm工艺明年就完成开发了。
 
三星在10nm、7nm及5nm节点的进度都会比台积电要晚一些，导致台积电几乎包揽了目前的7nm芯片订单，三星只抢到IBM、NVIDIA及高通部分订单。不过三星已经把目标放在了未来的3nm工艺上，预计2021年量产。
 
 
在3nm节点，三星将从FinFET晶体管转向GAA环绕栅极晶体管工艺，其中3nm工艺使用的是第一代GAA晶体管，官方称之为3GAE工艺。
根据官方所说，基于全新的GAA晶体管结构，三星通过使用纳米片设备制造出了MBCFET（Multi-Bridge-Channel FET，多桥-通道场效应管），该技术可以显著增强晶体管性能，主要取代FinFET晶体管技术。
 
此外，MBCFET技术还能兼容现有的FinFET制造工艺的技术及设备，从而加速工艺开发及生产。
在这次的日本SFF会议上，三星还公布了3nm工艺的具体指标，与现在的7nm工艺相比，3nm工艺可将核心面积减少45%，功耗降低50%，性能提升35%。
在工艺进度上，三星今年4月份已经在韩国华城的S3 Line工厂生产7nm芯片，今年内完成4nm工艺开发，2020年完成3nm工艺开发。
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