安森美半导体推出新的以太网供电 (PoE) 方案支持 IoT 端点日增的功率需求
时间:2019-09-05 16:13来源:21Dianyuan
摘要:符合IEEE8023bt标准,提供90W功率给不同应用,包括智能传感器、楼宇自动化和联接的照明
2019年9月5日 — 推动高能效创新的安森美半导体(ON Semiconductor,美国纳斯达克上市代号:ON),凭借不断增长的符合IEEE802.3bt标准的产品和技术阵容引领行业。以太网供电(PoE)使用新的IEEE802.3bt标准,可用于通过局域网(LAN)联接提供高达90 W的高速互联。安森美半导体的方案不仅支持新标准的功率限制,还将功率扩展到100 W用于电信和数字标识等系统。
新的IEEE802.3bt PoE标准有潜力变革物联网(IoT)所涉及的每个垂直市场,使更精密的端点可在更大的网络运行。IEEE802.3bt标准通过新的“Autoclass”特性优化能量管理,令受电设备(PD)将其特定的功率需求传递给供电设备(PSE)。这也令每个PSE仅向每个PD分配适当的功率量,从而最大化可用能量和带宽。
与IEEE 802.at标准(PoE+)提供的30 W相比,IEEE 802.3bt可提供高达90 W的功率和互联到新的应用,无需专用且通常为离线的电源。PoE将简化网络拓扑,并提供更强固的“即插即用”用户体验。
商业信息提供商IHS Markit电源半导体高级分析师Kevin Anderson说:“以太网供电是当今电源半导体发展最快的市场之一,预计2017年到2022年的复合平均单位增长率为14%。IEEE 802.3bt中定义的更高供电能力促成新的应用,如更高功率联接的照明、联网的高分辨率监控摄像机和高性能无线接入点。”
NCP1095和NCP1096接口控制器构成安森美半导体PoE-PD方案的基础,具有实施PoE接口所需的所有特性,包括检测、自动分类和限流。控制器采用一个外部(NCP1095)或内部(NCP1096)热插拔FET。NCP1096集成的热插拔FET具有Type 3或Type 4 PoE控制器可提供的最低导通电阻。控制器配以NCP1566 DC-DC控制器、FDMC8622单MOSFET、FDMQ8203和FDMQ8205A GreenBridge™四通道MOSFET,为PoE应用中的二极管桥提供更有效的替代方案。这些器件赋能高效的PoE接口,最高可达标准的90 W功率限制,若需更高的功率,可用专用的100 W方案。
安森美半导体工业和离线电源方案副总裁Ryan Cameron说:“作为一家讲究高能效的公司,我们很高兴能促进PoE充分发挥潜力。我司提供全系列符合IEEE 802.3bt的方案,使这技术更容易广及所有开发工程师,有助于使更多联接的设备具有保证的互操作性。”
欲了解更多信息,请联系您当地的安森美半导体代表或授权代理商。
更多资源及文档:
登陆页:以太网供电(PoE)方案
视频:您需要更大功率
博客:开启更大功率IoT应用的大门
白皮书:四通道MOSFET方案替代二极管桥方案显著提高PoE能效
关于安森美半导体
安森美半导体(ON Semiconductor,美国纳斯达克上市代号:ON)致力于推动高能效电子的创新,使客户能够减少全球的能源使用。安森美半导体领先于供应基于半导体的方案,提供全面的高能效电源管理、模拟、传感器、逻辑、时序、互通互联、分立、系统单芯片(SoC)及定制器件阵容。公司的产品帮助工程师解决他们在汽车、通信、计算机、消费电子、工业、医疗、航空及国防应用的独特设计挑战。公司运营敏锐、可靠、世界一流的供应链及品质项目,一套强有力的守法和道德规范计划,及在北美、欧洲和亚太地区之关键市场运营包括制造厂、销售办事处及设计中心在内的业务网络。更多信息请访问http://www.onsemi.cn。
安森美半导体和安森美半导体图标是 Semiconductor Components Industries, LLC的注册商标。所有本文中出现的其它品牌和产品名称分别为其相应持有人的注册商标或商标。虽然公司在本新闻稿提及其网站,但此稿并不包含其网站中有关的信息。
新的IEEE802.3bt PoE标准有潜力变革物联网(IoT)所涉及的每个垂直市场,使更精密的端点可在更大的网络运行。IEEE802.3bt标准通过新的“Autoclass”特性优化能量管理,令受电设备(PD)将其特定的功率需求传递给供电设备(PSE)。这也令每个PSE仅向每个PD分配适当的功率量,从而最大化可用能量和带宽。
与IEEE 802.at标准(PoE+)提供的30 W相比,IEEE 802.3bt可提供高达90 W的功率和互联到新的应用,无需专用且通常为离线的电源。PoE将简化网络拓扑,并提供更强固的“即插即用”用户体验。
商业信息提供商IHS Markit电源半导体高级分析师Kevin Anderson说:“以太网供电是当今电源半导体发展最快的市场之一,预计2017年到2022年的复合平均单位增长率为14%。IEEE 802.3bt中定义的更高供电能力促成新的应用,如更高功率联接的照明、联网的高分辨率监控摄像机和高性能无线接入点。”
NCP1095和NCP1096接口控制器构成安森美半导体PoE-PD方案的基础,具有实施PoE接口所需的所有特性,包括检测、自动分类和限流。控制器采用一个外部(NCP1095)或内部(NCP1096)热插拔FET。NCP1096集成的热插拔FET具有Type 3或Type 4 PoE控制器可提供的最低导通电阻。控制器配以NCP1566 DC-DC控制器、FDMC8622单MOSFET、FDMQ8203和FDMQ8205A GreenBridge™四通道MOSFET,为PoE应用中的二极管桥提供更有效的替代方案。这些器件赋能高效的PoE接口,最高可达标准的90 W功率限制,若需更高的功率,可用专用的100 W方案。
安森美半导体工业和离线电源方案副总裁Ryan Cameron说:“作为一家讲究高能效的公司,我们很高兴能促进PoE充分发挥潜力。我司提供全系列符合IEEE 802.3bt的方案,使这技术更容易广及所有开发工程师,有助于使更多联接的设备具有保证的互操作性。”
欲了解更多信息,请联系您当地的安森美半导体代表或授权代理商。
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安森美半导体(ON Semiconductor,美国纳斯达克上市代号:ON)致力于推动高能效电子的创新,使客户能够减少全球的能源使用。安森美半导体领先于供应基于半导体的方案,提供全面的高能效电源管理、模拟、传感器、逻辑、时序、互通互联、分立、系统单芯片(SoC)及定制器件阵容。公司的产品帮助工程师解决他们在汽车、通信、计算机、消费电子、工业、医疗、航空及国防应用的独特设计挑战。公司运营敏锐、可靠、世界一流的供应链及品质项目,一套强有力的守法和道德规范计划,及在北美、欧洲和亚太地区之关键市场运营包括制造厂、销售办事处及设计中心在内的业务网络。更多信息请访问http://www.onsemi.cn。
安森美半导体和安森美半导体图标是 Semiconductor Components Industries, LLC的注册商标。所有本文中出现的其它品牌和产品名称分别为其相应持有人的注册商标或商标。虽然公司在本新闻稿提及其网站,但此稿并不包含其网站中有关的信息。
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