Vishay 推出的新款 60 V MOSFET 是业内首款适用于标准栅极驱动电路的器件

时间:2019-08-12 14:37来源:21Dianyuan

摘要:器件专门用于标准栅极驱动电路,栅极电荷低至225nC,QOSS为342nC,采PowerPAK®1212-8S封装

宾夕法尼亚、MALVERN—2019年812日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE股市代号:VSH)宣布,推出新款60 V TrenchFET®第四代n沟道功率MOSFET---SiSS22DN,业内首款适用于标准栅极驱动电路的器件,10 V条件下最大导通电阻降至4 mW,采用热增强型3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK® 1212-8S封装。Vishay Siliconix SiSS22DN专门用于提高功率转换拓扑结构的效率和功率密度,栅极电荷仅为22.5 nC,同时具有低输出电荷(QOSS)。
 

 
与逻辑电平60 V器件不同,SiSS22DN提高了典型VGS(th)和Miller(米勒)平台电压,适用于栅极驱动电压高于6 V的电路,器件最佳动态特性缩短死区时间,防止同步整流应用发生击穿。SiSS22DN业内低导通电阻比排名第二的产品低4.8%—与领先的逻辑电平器件不相上下—QOSS为34.2 nC,QOSS与导通电阻乘积,即零电压开关(ZVS)或开关柜拓扑结构功率转换设计中,MOSFET的重要优值系数(FOM)达到最佳水平。为实现更高功率密度,器件比6 mm x 5 mm封装类似解决方案节省65%的PCB空间。
 
SiSS22DN改进了技术规格,经过调校最大限度降低导通和开关损耗,多电源管理系统构件可实现更高效率,包括AC/DC和DC/DC拓扑结构同步整流、DC/DC转换器主边开关、降压-升压转换器半桥MOSFET功率级,以及通信和服务器电源OR-ing功能、电动工具和工业设备电机驱动控制和电路保护、电池管理模块的电池保护和充电。
 
MOSFET经过100 % RG和UIS测试,符合RoHS标准,无卤素。
SiSS22DN现可提供样品并已实现量产,供货周期为30周,视市场情况而定。 
 
VISHAY简介
Vishay Intertechnology, Inc. 是在纽约证券交易所上市(VSH)的“财富1000 强企业”,是全球分立半导体(二极管、MOSFET和红外光电器件)和无源电子元件(电阻器、电感器、电容器)的最大制造商之一。这些元器件可用于工业、计算、汽车、消费、通信、国防、航空航天、电源及医疗市场中几乎所有类型的电子设备和装备。凭借产品创新、成功的收购战略,以及“一站式”服务使Vishay成为了全球业界领先者。有关Vishay的详细信息,敬请浏览网站 www.vishay.com
 
TrenchFET 和 PowerPAK 是 Siliconix 的注册商标
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