集成 900 V MOSFET 的开关电源 IC 可为市电电压不稳的地区提供有效的安全边距

时间:2019-05-23 09:16来源:21Dianyuan

摘要:应用范围涵盖市电电压较高和不稳的地区的高品质消费电子产品和480VAC以内的三相工业电源。

Power Integrations现可提供集成900 V初级MOSFET的全套离线式开关电源IC,这些产品系列包括LinkSwitch-TN2、LinkSwitch-XT2和InnoSwitch3-EP。应用范围涵盖市电电压较高和不稳的地区的高品质消费电子产品和480 VAC以内的三相工业电源
 

这些高度集成的900 V器件可帮助设计工程师实现全球通用的电源,满足全球各地用户的可靠性预期。它们还可以取代现有电源板设计中相应的725 V开关器件,无需修改设计即可支持更高电压。新IC包括下列900 V版本:
• LinkSwitch-TN2 - 适合元件数极少的非隔离降压式变换器
• LinkSwitch-XT2 - 适合8 W以内的隔离和非隔离反激式电源
• InnoSwitch3-EP - 适合35 W以内效率极高的隔离反激式电源

下载下列参考设计报告,深入了解:

• DER-737 - 使用900 V LinkSwitch-TN2的1.44 W非隔离降压式变换器
• DER-736 - 使用900 V LinkSwitch-XT2的7 W非隔离反激式电源
• DER-745 - 使用900 V InnoSwitch3-EP的10 W两路输出反激式电源
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