英飞凌加速推出 CoolSiC™ MOSFET 1200V 单管新产品

时间:2019-05-14 10:15来源:21Dianyuan

摘要:英飞凌CoolSiC™MOSFET沟槽技术将高达4V的阈值电压(Vth)与低米勒电容融为一体。

2019年5月7日,德国慕尼黑讯 –– 英飞凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)加速推出CoolSiC™ MOSFET 1200V单管新产品。新产品导通电阻从30 mΩ到350 mΩ不等,拥有TO247-3pin和TO247-4pin两种封装。另外,表面贴封装(SMD)和CoolSiC™ MOSFET 650V单管新产品也将很快面世。通过这些产品,英飞凌可满足功率转换应用——譬如电动汽车充电设施、储能系统、光伏逆变器、不间断电源(UPS)、电机驱动以及服务器和电信设备开关电源(SMPS)——对于高能效SiC解决方案不断快速增长的需求。
 


英飞凌CoolSiC™ MOSFET 1200V单管新产品
 
英飞凌工业功率控制事业部总裁Peter Wawer表示:“在英飞凌,新推出的基础技术必须满足严格的质量标准。即便是标准的TO-247单管封装,前道和后道批量生产流程也必须经过验证。其中包括:收集统计数据,生产监控,以及在标准化生产之外开展与应用相关的测试。在圆满完成SiC MOSFET基础技术的试生产后,我们现在要将最全面的CoolSiC™ MOSFET产品组合推向市场。” 
 
和之前推出的采用TO247单管封装和Easy模块封装的CoolSiC™ MOSFET产品一样,新的单管产品采用业内最先进的沟槽工艺打造。采用该工艺既可使应用中的损耗降到最低,还可使保证运行中的高可靠性。极低的动态损耗借助简单的单极驱动方案即可达到最高效率。
 
 
英飞凌CoolSiC™ MOSFET沟槽技术将高达4V的阈值电压(Vth)与低米勒电容融为一体。正因为如此,与市场上其它的SiC MOSFET相比,CoolSiC™ MOSFET可避免寄生导通。再结合最高+18V的推荐门极电压(与最高额定电压+23V相比,还保证了5V安全余量),英飞凌CoolSiC™ MOSFET比硅IGBT、超结MOSFET及其它SiC MOSFET都更胜一筹。
 
反并联体二极管牢固可靠,可应用于硬开关,CoolSiC™ MOSFET系列产品可助力工程师实现最高能效及简化电路设计。CoolSiC™ MOSFET为功率因数校正(PFC)电路、双向拓扑以及任何硬/软开关的DC-DC或DC-AC电路的设计提供了全新的灵活性。
 
英飞凌的EiceDRIVER™栅极驱动IC充分满足CoolSiC™ MOSFET超快开关特性需求,两者结合共同发挥出了SiC的优势:提高效率,节省空间和减轻重量,减少零部件数量,提升系统可靠性,为降低系统成本和运营成本提供了可能,为建设节能高效的世界打造新解决方案。
 
供货情况
采用TO247-3pin和TO247-4pin封装导通电阻为30 mΩ到350 mΩ,将于2019年下半年量产,现已开始提供工程样品。采用D2PAK-7封装产品系列,将于2019年第四季度提供工程样品。
 
关于英飞凌
英飞凌设计、开发、制造并销售各种半导体和系统解决方案。其业务重点包括汽车电子、工业电子、射频应用、移动终端和基于硬件的安全解决方案等。
 
英飞凌将业务成功与社会责任结合在一起,致力于让人们的生活更加便利、安全和环保。半导体虽几乎看不到,但它已经成为了我们日常生活中不可或缺的一部分。不论在电力生产、传输还是利用等方面,英飞凌芯片始终发挥着至关重要的作用。此外,它们在保护数据通信,提高道路交通安全性,降低车辆的二氧化碳排放等领域同样功不可没。
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