世纪金光:满足新能源汽车应用的 SiC MOSFET 系列产品
时间:2019-03-08 11:31来源:21Dianyuan
摘要:将展出电子级碳化硅高纯粉料、碳化硅单晶衬底片、碳化硅外延片、碳化硅功率器件、功率模块
世纪金光是国内首家贯通碳化硅全产业链的综合半导体企业。产品基本覆盖了以碳化硅为代表的第三代半导体材料全产业链,包括:电子级碳化硅高纯粉料、碳化硅单晶衬底片、碳化硅外延片、碳化硅功率器件、功率模块和典型应用,形成了较为完整的产业链体系,正在大力进行垂直整合,全面推进从产业源头到末端的全链贯通。
主要应用
• 高效服务器电源
• 新能源汽车
• 充电桩充电模组
• 光伏逆变器
• 工业电机
• 智能电网
• 航空航天
SiC MOSFET系列
产品覆盖额定电压650-1200V,额定电流30-92A,可满足多种应用需求。
产品特点
产品为N沟道平面栅工艺平台,采用优化的栅氧化技术及表面电场控制技术,在保证较高的栅极可靠性的前提下,最大限度提升了表面沟道迁移率,有效降低沟道、JFET区电阻,同时降低了栅极电容。同时降低了器件的静态及动态损耗。
产品优势
产品为采用第三代半导体SiC材料研制的场控器件,基于材料本身的击穿场强的优势,产品具有击穿电压高,导通电阻低,开关速度快,开关损耗小等特点,同时具有较高的可靠性及较简单的驱动方式。在各类高压电源、电力装置里作为核心开关功率器件,可有效提升系统效率,减小系统体积,降低系统复杂度。
同期活动
• 未来汽车科技园主题展新品展示 E4馆4100 3月20-22日
• 国际电动车创新发展论坛技术分享 E2馆二楼M19会议室 3月20日14:30-15:00
主要应用
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SiC MOSFET系列
产品覆盖额定电压650-1200V,额定电流30-92A,可满足多种应用需求。
产品特点
产品为N沟道平面栅工艺平台,采用优化的栅氧化技术及表面电场控制技术,在保证较高的栅极可靠性的前提下,最大限度提升了表面沟道迁移率,有效降低沟道、JFET区电阻,同时降低了栅极电容。同时降低了器件的静态及动态损耗。
产品优势
产品为采用第三代半导体SiC材料研制的场控器件,基于材料本身的击穿场强的优势,产品具有击穿电压高,导通电阻低,开关速度快,开关损耗小等特点,同时具有较高的可靠性及较简单的驱动方式。在各类高压电源、电力装置里作为核心开关功率器件,可有效提升系统效率,减小系统体积,降低系统复杂度。
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