当前位置：世纪电源网>动态>企业动态>正文

Vishay 最新推出高性能 60 V TrenchFET® 第四代 N 沟道功率 MOSFET

时间：2019-02-21 10:37来源：21Dianyuan

摘要：器件采用PowerPAK®SO-8单体封装，栅极电荷为52nC，输出电荷为68nC均达到同类产品最佳水平

宾夕法尼亚、MALVERN — 2019年2月21日—日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新款6.15 mm x 5.15 mm PowerPAK® SO-8单体封装的60 V TrenchFET® 第四代 n沟道功率MOSFET---SiR626DP。Vishay Siliconix SiR626DP专门用于提高功率转换拓扑结构的效率，导通电阻比前代器件降低36%，同时栅极电荷和输出电荷达到同类产品最低水平。
 

日前发布的器件10 V条件下最大导通电阻降至1.7 mW，栅极电荷仅为52 nC，输出电荷为68 nC，COSS为992 pF。在功率转换应用中，这款MOSFET的栅极电荷与导通电阻乘积和输出电荷与导通电阻乘积优值系数 (FOM) 分别比前代器件降低32 %和45 %。MOSFET的COSS降低69 %。
 
SiR626DP改进了技术规格，经过调校最大限度降低导通和开关损耗。器件提高了AC/DC拓扑结构同步整流，隔离式DC/DC拓扑结构原边和副边开关效率，适用于太阳能微型逆变器和通信、服务器、医疗设备电源、电动工具和工业设备电机驱动控制、电池管理模块的电池切换。
 
MOSFET经过100% RG和UIS测试，符合RoHS标准，无卤素。
SiR626DP现可提供样品并已实现量产。产品供货周期为30周，视市场情况而定。
 
VISHAY简介
Vishay Intertechnology, Inc. 是在纽约证券交易所上市（VSH）的“财富1000 强企业”，是全球分立半导体（二极管、MOSFET和红外光电器件）和无源电子元件（电阻器、电感器、电容器）的最大制造商之一。这些元器件可用于工业、计算、汽车、消费、通信、国防、航空航天、电源及医疗市场中几乎所有类型的电子设备和装备。凭借产品创新、成功的收购战略，以及“一站式”服务使Vishay成为了全球业界领先者。有关Vishay的详细信息，敬请浏览网站 www.vishay.com。
免责声明：本文若是转载新闻稿，转载此文目的是在于传递更多的信息，版权归原作者所有。文章所用文字、图片、视频等素材如涉及作品版权问题，请联系本网编辑予以删除。
上一篇：山顿电子推出大容量模块化 UPS 电源
下一篇：ROHM 开发出实现高可靠性的1608尺寸白光贴片 LED
我要投稿
近期活动
分类排行榜
编辑推荐
小型化和稳定性如何兼得？ROHM 推出超小型高输出线性 LED 驱动器 IC，为插座型 LED 驱动 IC 装上一颗强有力的 “心脏”

众所周知，LED的驱动IC担负着在输入电压不稳定的情况下，为LED提供恒定的电流，并控制恒定（可调）亮度的作用。无论是室内照明，还是车载应用，都肩负着极为重要的使命。

帖子推荐更多
精华
热门

Copyright 2008-2024 21dianyuan.com All Rights Reserved 备案许可证号为：津ICP备10002348号-2