12月3日，武汉新芯集成电路制造有限公司对外宣布称，基于其三维集成技术平台的三片晶圆堆叠技术研发成功。该消息一出，就引发了业界的关注，其原因在于三维芯片具备多重优势，因此武汉新芯在三维晶圆堆叠技术方面的突破势必会引发大家的热议。

三维芯片由多个平面器件层垂直堆叠而成，并通过硅通孔进行层间互。与传统的2.5D芯片堆叠相比，晶圆级的三维集成技术能同时增加带宽、降低延时、提高性能、降低功耗。

据了解，三维集成技术是武汉新芯继NOR Flash、MCU之外的第三大技术平台。武汉新芯的三维集成技术居于国际先进、国内领先水平，已积累了6年的大规模量产经验，能为客户提供工艺先武汉新芯进、设计灵活的晶圆级集成代工方案。”武汉新芯这一技术横跨了3D NAND、BSI、嵌入式存储等多个领域，这对带宽、性能、多功能集成等方面有重要需求的AI和物联网领域拥有颇为广泛的应用前景。

当然，三维芯片堆叠技术仍要在良率提升、功耗降低、芯片的制造和测试成本增加层面都还要着力解决相应的挑战。

实际上，3D的晶圆堆叠技术已有多年的研发历史，但技术成熟度还比较低，进入量产阶段仍需要一些时间，且相关技术主要被三星、SK海力士、英特尔，以及台积电等先进半导体企业所把持，武汉新芯的这个突破将激励中国大陆半导体行业在该技术的钻研以及将加速相关应用的发展。