东芝推出具备高性能、低功耗和低成本结构阵列的130nm FFSA™开发平台
摘要:东芝电子元件及存储装置株式会社(“Toshiba”)今日宣布推出全新的130nm制造工艺、基于节点的FFSA™(FitFastStructuredArray),它是一个创新的自定义系统级芯片(SoC)开发平台,具备高性能、低成本和低功耗的特点。
东芝电子元件及存储装置株式会社 (“Toshiba”)今日宣布推出全新的130nm制造工艺、基于节点的FFSA™ (Fit Fast Structured Array),它是一个创新的自定义系统级芯片(SoC)开发平台,具备高性能、低成本和低功耗的特点[1]。
东芝提供适合客户企业环境和要求的专用集成电路(ASIC)和FFSA™平台,同时也为定制SoC开发提供高效的解决方案。FFSA™器件采用硅基主片,该主片通常与用于定制设计的上部金属层集成。FFSA™只需定制几个掩膜板,即可实现比单独的ASIC开发低得多的NRE成本。而且,该平台还实现了开发成本的显著降低,并能够在比传统ASIC更短的时间内提供样品并实现大批量生产。此外,FFSA™使用ASIC设计方法及其数据库实现比现场可编程门阵列(FPGA)更高的性能和更低的功耗。[1]
130nm工艺系列与东芝现有的28nm、40nm和65nm工艺产品组合一起,使得FFSA™成为日益增长的工业设备市场的适当方案。
通过该平台设计的130nm FFSA™器件将由东芝电子元件及存储装置株式会社旗下子公司Japan Semiconductor制造,该公司在 ASIC、ASSP和微型计算机制造方面拥有悠久的历史、雄厚的实力和专长,因此可确保长期供货并满足业务客户连续性计划的需求。
工业设备、通信设施、办公设备和消费产品市场有望实现稳步扩张,而该新系列可以提供所需的性能和集成。
FFSA™系列 |
||||||||
工艺技术 |
|
130nm |
|
65nm |
|
40nm |
|
28nm |
最大门数[2] |
912Kgate |
21Mgate |
25Mgate |
100Mgate |
||||
最大SRAM存储容量 |
664Kbit |
19Mbit |
30Mbit |
207Mbit |
||||
最大收发器速度 |
- |
- |
12.5Gbps |
28Gbps |
||||
最大收发器通道数 |
- |
- |
14 |
64 |
||||
最大I/O引脚数 |
|
337 |
|
1110 |
|
720 |
|
928 |
|
注:
[1] 东芝传统FPGA产品内部比较。
[2] 可用门数是一个指导基准,将因具体应用而异。
如需了解有关该产品的更多信息,请访问:
https://toshiba.semicon-storage.com/jp/product/custom-soc/platform/ffsa.html
关于东芝电子元件及存储装置株式会社
东芝电子元件及存储装置株式会社集新公司的活力与集团的经验智慧于一身。自2017年7月成为一家独立公司以来,我们已跻身领先的通用设备公司之列,并为客户和商业合作伙伴提供卓越的离散半导体、系统LSI和HDD解决方案。
公司遍布全球的2.2万名员工同心同德,竭力实现公司产品价值的最大化,同时重视与客户的密切合作,促进价值和新市场的共同创造。我们期待在目前超过8000亿日元(70亿美元)的年度销售额基础上再接再厉,为全球人类创造更加美好的未来。
有关公司的更多详情,请访问:https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html
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