叶甜春:我国集成电路发展到一个新高度,下阶段任务是实现“替代-创新-引领”转变
时间:2018-09-14 17:24来源:集微网
摘要:9月13日,在第21届中国集成电路制造年会上,中科院微电子研究所所长叶甜春进行了《中国集成电路制造技术与产业创新发展情况》的演讲,他指出,国家科技重大专项和产业投资基金引领我国集成电路产业发展到了一个新的高度。同时,叶甜春也指明了我国集成电路六大亟待解决的问题。
集微网消息 9月13日,在“2018年中国集成电路产业发展研讨会暨第21届中国集成电路制造年会”上,中科院微电子研究所所长叶甜春进行了《中国集成电路制造技术与产业创新发展情况》演讲,他指出,国家科技重大专项和产业投资基金引领我国集成电路产业发展到了一个新的高度。
如今,我国科技重大专项取得一定进展,集成电路形成了技术体系,建立了产业链,产业生态和竞争力得到了完善和提升;高端芯片设计能力大幅提高;制造工艺取得长足进步,65、40、28纳米工艺量产,14纳米技术研发突破,特色工艺竞争力提高;集成电路封装从中低端进入高端,竞争力大幅提升;关键装备和材料实现从无到有,整体水平达到28纳米,部分产品进入14-7纳米,被国内外生产线采用;培育了一批富有创新活力,具备一定国际竞争力的企业。
同时,自主知识产权大幅提升,处处受制于人的局面得到改变。以制造工艺为例,如今已从“引进消化吸收再创新”转为“自主研发家国际合作”。12英寸制造工艺可以实现55、40、28纳米成套工艺量产,20-14纳米成套工艺和7-5纳米关键工艺正在研发;8英寸特色工艺在180-90纳米的嵌入式闪存、模拟混合、高压器件、传感器等工艺方面形成了国际竞争优势;在综合制造能力方面,有能力支撑55%金额和90%数量的产品制造,涵盖大部分产品需求。
装备和材料是集成电路产业的基石,但也是我国集成电路较为薄弱的环节,而国际上设备垄断趋势却在加剧。
叶甜春指出,装备和材料是推动集成电路技术创新的引擎,因为一代技术依赖于一带工艺,一代工艺依赖一代设备和材料来实现。如今,我国内集成电路装备已进行了系统部署,主要种类已涵盖,且高端关键装备和材料从无到有,形成一定支撑能力。同时,设备产品细分系列不断丰富,工艺覆盖率持续提升;核心零部件在泛半导体大批量使用,在IC装备的应用逐步提高;IC装备销售额也呈连续增长的趋势。
据悉,目前我国已有20种芯片制造关键装备、17种先进封装设备和103种关键材料产品通过大生产线验证进入海内外销售;芯片制造关键装备品种覆盖率达到31.1%,新建生产线国产化率达到13%;先进封装关键品种覆盖率和国产化率均达到80%。
材料方面,在晶圆制造材料领域专项实施及带动下,攻克了一批制约材料产业发展的成套技术,开发了一批高端集成电路制造用关键产品,填补国内空白。例如8-12英寸晶圆制造材料在2008年之前几乎100%依赖进口,而目前关键材料品种覆盖率达到25%,国产化率达到20%。
尽管从封测产业、设备材料、芯片设计等多个领域来看,我国成电路取得了不错的成绩,但叶甜春也指出了目前我国集成电路产业发展亟待解决的六大问题,具体包括:
1.产业模式单一,需要在无晶圆设计和芯片代工制造基础上,根据产品特点发展多元的模式,尤其是IDM;
2.装备和材料仍然是短板;28纳米以上的产品工艺和特色工艺种类覆盖仍然不够;尖端工艺的追赶难度变大;
3.协同发展的产业生态需要尽快形成,“系统-芯片-工艺-装备-材料”紧密协同对整个产业发展至关重要;
4.产业布局的无序竞争、碎片化与同质化倾向,与国际整合趋势背道而驰;
5.随着技术差距的缩短,“短兵相接”的企业研发压力和投入成倍增长,倍感吃力。从长远看,基础研究和前瞻技术布局不足,创新跨越缺乏支撑;
6.产业政策仍有缺失,已有政策落实也未到位,对竞争对手的非正当竞争缺乏制止手段。
最后叶甜春总结道,经过十年努力,中国集成电路产业已经建立较完整技术体系,如何实现“替代-创新-引领”的转变是下阶段主要任务。关键是如何发挥中国市场潜力,提供产品解决方案,进而改变全球集成电路产业格局。在集成电路产业发展中,产业链、创新链、金融链“三链融合”是必由之路,中国需要更专业的投融资平台和更宽松的信贷政策。对集成电路产业的发展,要有战略定力,持续投入最为关键。过去间歇式投入导致前功尽弃,教训是深刻的。
如今,我国科技重大专项取得一定进展,集成电路形成了技术体系,建立了产业链,产业生态和竞争力得到了完善和提升;高端芯片设计能力大幅提高;制造工艺取得长足进步,65、40、28纳米工艺量产,14纳米技术研发突破,特色工艺竞争力提高;集成电路封装从中低端进入高端,竞争力大幅提升;关键装备和材料实现从无到有,整体水平达到28纳米,部分产品进入14-7纳米,被国内外生产线采用;培育了一批富有创新活力,具备一定国际竞争力的企业。
同时,自主知识产权大幅提升,处处受制于人的局面得到改变。以制造工艺为例,如今已从“引进消化吸收再创新”转为“自主研发家国际合作”。12英寸制造工艺可以实现55、40、28纳米成套工艺量产,20-14纳米成套工艺和7-5纳米关键工艺正在研发;8英寸特色工艺在180-90纳米的嵌入式闪存、模拟混合、高压器件、传感器等工艺方面形成了国际竞争优势;在综合制造能力方面,有能力支撑55%金额和90%数量的产品制造,涵盖大部分产品需求。
装备和材料是集成电路产业的基石,但也是我国集成电路较为薄弱的环节,而国际上设备垄断趋势却在加剧。
叶甜春指出,装备和材料是推动集成电路技术创新的引擎,因为一代技术依赖于一带工艺,一代工艺依赖一代设备和材料来实现。如今,我国内集成电路装备已进行了系统部署,主要种类已涵盖,且高端关键装备和材料从无到有,形成一定支撑能力。同时,设备产品细分系列不断丰富,工艺覆盖率持续提升;核心零部件在泛半导体大批量使用,在IC装备的应用逐步提高;IC装备销售额也呈连续增长的趋势。
据悉,目前我国已有20种芯片制造关键装备、17种先进封装设备和103种关键材料产品通过大生产线验证进入海内外销售;芯片制造关键装备品种覆盖率达到31.1%,新建生产线国产化率达到13%;先进封装关键品种覆盖率和国产化率均达到80%。
材料方面,在晶圆制造材料领域专项实施及带动下,攻克了一批制约材料产业发展的成套技术,开发了一批高端集成电路制造用关键产品,填补国内空白。例如8-12英寸晶圆制造材料在2008年之前几乎100%依赖进口,而目前关键材料品种覆盖率达到25%,国产化率达到20%。
尽管从封测产业、设备材料、芯片设计等多个领域来看,我国成电路取得了不错的成绩,但叶甜春也指出了目前我国集成电路产业发展亟待解决的六大问题,具体包括:
1.产业模式单一,需要在无晶圆设计和芯片代工制造基础上,根据产品特点发展多元的模式,尤其是IDM;
2.装备和材料仍然是短板;28纳米以上的产品工艺和特色工艺种类覆盖仍然不够;尖端工艺的追赶难度变大;
3.协同发展的产业生态需要尽快形成,“系统-芯片-工艺-装备-材料”紧密协同对整个产业发展至关重要;
4.产业布局的无序竞争、碎片化与同质化倾向,与国际整合趋势背道而驰;
5.随着技术差距的缩短,“短兵相接”的企业研发压力和投入成倍增长,倍感吃力。从长远看,基础研究和前瞻技术布局不足,创新跨越缺乏支撑;
6.产业政策仍有缺失,已有政策落实也未到位,对竞争对手的非正当竞争缺乏制止手段。
最后叶甜春总结道,经过十年努力,中国集成电路产业已经建立较完整技术体系,如何实现“替代-创新-引领”的转变是下阶段主要任务。关键是如何发挥中国市场潜力,提供产品解决方案,进而改变全球集成电路产业格局。在集成电路产业发展中,产业链、创新链、金融链“三链融合”是必由之路,中国需要更专业的投融资平台和更宽松的信贷政策。对集成电路产业的发展,要有战略定力,持续投入最为关键。过去间歇式投入导致前功尽弃,教训是深刻的。
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