存储器IC占2018年半导体资本支出总数的53%

时间:2018-08-31 12:00来源:国际电子商情

摘要:预计闪存将占据资本支出的最大份额,而DRAM资本支出今年以最高的速度增长,未来3DNAND闪存市场需求过高的风险很高并且不断增长

IC Insights预测,今年半导体资本支出总额将增至1020亿美元,这是该行业在一年中首次在资本支出上花费超过1000亿美元。这一1020亿美元的支出水平比2017年的933亿美元增长了9%,比2016年增长了38%。

下图显示,超过一半的行业资本支出预计用于内存生产 - 主要是DRAM和闪存 - 包括对现有晶圆厂线和全新制造设施的升级。总的来说,预计今年内存将占到半导体资本支出的53%。存储设备的资本支出份额在六年内大幅增加,几乎翻了一番,从2013年的27%(147亿美元)增加到2018年的行业资本支出总额的53%(540亿美元),相当于2013-2018复合年增长率为30%。


 

在所显示的主要产品类别中,预计DRAM / SRAM的支出增幅最大,但预计闪存将占据今年资本支出的最大份额。预计2018年DRAM / SRAM部门的资本支出将在2017年强劲增长82%后出现41%的增长。预计2017年闪存的资本支出将在2017年增长91%后增长13%。

 

经过两年的资本支出大幅增加,一个迫在眉睫的主要问题是,高水平的支出是否会导致产能过剩和价格下降。记忆市场的历史先例表明,过多的支出通常会导致产能过剩和随后的价格疲软。  三星,SK海力士,美光,英特尔,东芝/西部数据/ SanDisk和XMC /长江存储技术都计划在未来几年内大幅提升3D NAND闪存容量(以及新的中国内存创业公司进入市场) ),IC Insights认为,未来3D NAND闪存市场需求过高的风险很高并且不断增长。
免责声明:本文若是转载新闻稿,转载此文目的是在于传递更多的信息,版权归原作者所有。文章所用文字、图片、视频等素材如涉及作品版权问题,请联系本网编辑予以删除。
我要投稿
近期活动
帖子推荐更多

Copyright 2008-2024 21dianyuan.com All Rights Reserved 备案许可证号为:津ICP备10002348号-2