全球前五大NAND厂商表示,近几年NAND位出货量平均增长速率为40%
时间:2018-07-13 13:46来源:TechSugar
摘要:2018年5月,美光在其2018年分析师与投资者活动上给出一个数据,按闪存位出货量(bitvolumeshipments)每年增长40%进行产能规划所需资本支出金额,ICInsights则提供了NAND行业每年资本支出的实际金额,这两个数据对比很有意思。
2018年5月,美光在其2018年分析师与投资者活动上给出一个数据,按闪存位出货量(bit volume shipments)每年增长40%进行产能规划所需资本支出金额,IC Insights则提供了NAND行业每年资本支出的实际金额,这两个数据对比很有意思。
如图所示,美光认为,满足位出货量年增40%需求所需资金量增长极快,从2015年的90亿美元,到2017年220亿美元,两年时间里,翻番还要多。资本支出急剧攀升是因为NAND行业正在从平面NAND转向3D NAND,与平面工艺相比,3D NAND需要更多的半导体设备,以及额外的洁净空间,才能够处理相对平面工艺增加的器件附加层。
全球前五大NAND厂商都表示,近几年NAND位出货量平均增长速率为40%。如图所示,2017年实际资本支出比预期资本支持(按位出货量40%计算)增长27%,IC Insights预计2018年实际支出将比预期支出增加41%。(2017年位出货量同比增长41%,不过从2018年初到现在,位出货量只增长30%)
用于扩充产能的资本支出超出市场实际需求,毫无疑问,将导致NAND闪存价格下滑。实际上,自2018年开始,NAND闪存价格已现疲弱。而且,价格走软有望从2018年下半年一直持续到2019年。
历史经验表明,价格下滑往往跟随存储器市场过度资本支出而至。伴随三星、SK海力士、美光、英特尔、东芝/西部数据/Sandisk,以及武汉新芯/长江存储等都计划未来几年大幅增加3D NAND闪存产能,在加上可能有中国新厂商还想杀入NAND市场,IC Insights认为,3D NAND实际资本支出远超位出货量增长所需资本支出的可能性将越来越高。
如图所示,美光认为,满足位出货量年增40%需求所需资金量增长极快,从2015年的90亿美元,到2017年220亿美元,两年时间里,翻番还要多。资本支出急剧攀升是因为NAND行业正在从平面NAND转向3D NAND,与平面工艺相比,3D NAND需要更多的半导体设备,以及额外的洁净空间,才能够处理相对平面工艺增加的器件附加层。
用于扩充产能的资本支出超出市场实际需求,毫无疑问,将导致NAND闪存价格下滑。实际上,自2018年开始,NAND闪存价格已现疲弱。而且,价格走软有望从2018年下半年一直持续到2019年。
历史经验表明,价格下滑往往跟随存储器市场过度资本支出而至。伴随三星、SK海力士、美光、英特尔、东芝/西部数据/Sandisk,以及武汉新芯/长江存储等都计划未来几年大幅增加3D NAND闪存产能,在加上可能有中国新厂商还想杀入NAND市场,IC Insights认为,3D NAND实际资本支出远超位出货量增长所需资本支出的可能性将越来越高。
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