RC-H5逆导型IGBT产品家庭再添新成员,针对感应加热应用优化

时间:2018-07-09 17:33来源:英飞凌工业半导体

摘要:最新一代RC-H5逆导型IGBT新增30A和40A器件,专为满足感应加热应用的苛刻要求而开发和优化,它们延续RC-H家族的杰出性能,并强调系统效率和可靠性。

最新一代RC-H5逆导型IGBT新增30A和40A器件,专为满足感应加热应用的苛刻要求而开发和优化,它们延续RC-H家族的杰出性能,并强调系统效率和可靠性。
 
由于开关损耗降低20%,可以进一步提高开关频率,通过使用较小的线圈降低系统成本或提高效率。
 
热性能的改进和功耗的降低——即使在更高的环境温度和应力条件下,也能够确保高可靠性。
 
软开关提升EMI性能,从而减少滤波需求,降低系统成本。在20A(关断电压1200V和1350V)的基础上,RC-H5家族又新增了30A和40A两个电流级别。
 
 
 
RC-H5器件的开关损耗大幅降低,高达20%。因为开关损耗降低,系统可在较高的开关频率下运行。频率增加可让设计师根据他们独特的系统需求而进行优化。
 
      IHW30N135R5与IHW30N135R3损耗对比
 
 
关键特性
›开关损耗降低20%
›导通损耗更低
›开通电流尖峰减小10%
›Tj(max) = 175°C
›软关断提升EMI性能
›更高关断电压VBR(min) = 1350 V
›TO-247 3pin
 
主要优势
›提高开关频率
›功耗更低
›优化散热,可靠性更高
›减少EMI滤波需求
›降低系统成本
›尖峰电流低
 
RC-H5家族产品的关键参数


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