“芯”时代技术大会拉开帷幕

时间:2018-06-28 09:13来源:英飞凌工业半导体

摘要:2018年6月25日,一年一度的英飞凌功率半导体应用技术研讨会在上海拉开帷幕。此次研讨会颇具规模,仅先锋上海站,已吸引130多名行业专家及客户前来参加,现场座无虚席。

2018年6月25日,一年一度的英飞凌功率半导体应用技术研讨会在上海拉开帷幕。此次研讨会颇具规模,仅先锋上海站,已吸引130多名行业专家及客户前来参加,现场座无虚席。会上,英飞凌的工程师们全方位分享、探讨了工业功率相关器件产品及相关技术应用方案。
 
 
 
第三代宽禁带半导体器件是目前电力电子领域的研究热点,得到了许多嘉宾和客户的关注。英飞凌作为碳化硅技术的引领者,在上午的会场上,安排了两场有关SiC MOSFET的主题演讲。首先,英飞凌市场方案拓展经理郝欣博士针对SiC器件特性、产品应用、以及市场未来趋势作了详细的解说。随后,来自英飞凌美国的驱动IC市场部总监方敏博士,带来了《SiC Mosfet驱动技术介绍及其应用》,对SiC MOSFET驱动要点、驱动芯片的选择及短路保护的设计进行了深入的探讨。
 
 
 
下午的变频器分会场上更是高潮迭起,英飞凌变频驱动市场经理张明丹女士首次正式公布了英飞凌TRENCHSTOPTM IGBT7的上市。1200V TRENCHSTOP™ IGBT7基于最新微沟槽技术,可大幅降低损耗,并提供高度可控性。与EmCon7 1200V 二极管技术构成IGBT开关,专为电机驱动优化,可实现更高功率密度,同时兼顾了芯片的软特性。此外,过载条件下允许的最高工作结温将提升至175 °C,实现同等封装下输出电流能力增大40%。
 
 
 
此外,对电力电子技术中的其它热点,例如农工商用车、光伏、充电桩、家电等应用,英飞凌专家不仅带来了全系列产品推荐,更是介绍了完整而详细的解决方案,并就实际应用中常遇到的问题进行了技术指导。

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