“芯”时代技术大会拉开帷幕_资讯频道

“芯”时代技术大会拉开帷幕

时间：2018-06-28 09:13来源：英飞凌工业半导体

摘要：2018年6月25日，一年一度的英飞凌功率半导体应用技术研讨会在上海拉开帷幕。此次研讨会颇具规模，仅先锋上海站，已吸引130多名行业专家及客户前来参加，现场座无虚席。

2018年6月25日，一年一度的英飞凌功率半导体应用技术研讨会在上海拉开帷幕。此次研讨会颇具规模，仅先锋上海站，已吸引130多名行业专家及客户前来参加，现场座无虚席。会上，英飞凌的工程师们全方位分享、探讨了工业功率相关器件产品及相关技术应用方案。

第三代宽禁带半导体器件是目前电力电子领域的研究热点，得到了许多嘉宾和客户的关注。英飞凌作为碳化硅技术的引领者，在上午的会场上，安排了两场有关SiC MOSFET的主题演讲。首先，英飞凌市场方案拓展经理郝欣博士针对SiC器件特性、产品应用、以及市场未来趋势作了详细的解说。随后，来自英飞凌美国的驱动IC市场部总监方敏博士，带来了《SiC Mosfet驱动技术介绍及其应用》，对SiC MOSFET驱动要点、驱动芯片的选择及短路保护的设计进行了深入的探讨。

下午的变频器分会场上更是高潮迭起，英飞凌变频驱动市场经理张明丹女士首次正式公布了英飞凌TRENCHSTOPTM IGBT7的上市。1200V TRENCHSTOP™ IGBT7基于最新微沟槽技术，可大幅降低损耗，并提供高度可控性。与EmCon7 1200V 二极管技术构成IGBT开关，专为电机驱动优化，可实现更高功率密度，同时兼顾了芯片的软特性。此外，过载条件下允许的最高工作结温将提升至175 °C，实现同等封装下输出电流能力增大40%。