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pSemi推出应用于固态LiDAR的GaN FET驱动器PE29101

时间：2018-06-21 10:00来源：GaN世界

摘要：Muratacompany（日本村田）旗下子公司pSemi™Corporation近日在INTERNATIONALMICROWAVESYMPOSIUM（IMS国际微波会议）上宣布推出应用于固态LiDAR（激光雷达）的GaNFET（氮化镓场效应晶体管）驱动器PE29101。

 

据麦姆斯咨询报道，Murata company（日本村田）旗下子公司pSemi™ Corporation（曾用名Peregrine Semiconductor，以下简称pSemi）近日在INTERNATIONAL MICROWAVE SYMPOSIUM（IMS国际微波会议）上宣布推出应用于固态LiDAR（激光雷达）的GaN FET（氮化镓场效应晶体管）驱动器PE29101。PE29101具有业内最快的上升时间和更低的最小脉冲宽度。这款高速驱动器可帮助设计工程师充分利用GaN晶体管的全部性能和开关速度优势。在固态LiDAR系统中，更快的开关速度意味着更高的LiDAR成像分辨率和精度。
 


 
PE29101 GaN FET驱动器
 
“随着GaN逐步证明其在固态LiDAR等应用中的作用，设计工程师正利用pSemi的高速驱动器来最大化GaN的快速开关优势，” pSemi首席技术官Jim Cable说，“凭借PE29101的上升和下降速度，可帮助LiDAR系统实现其可能达到的最高成像分辨率，而这正是产业所需要的，以发挥LiDAR系统最完整的潜在性能。”
 
LiDAR的运行原理与毫米波雷达类似，只是以脉冲激光来精确测绘周围的环境，常常用于高分辨率测绘。LiDAR现在开始应用于汽车ADAS（先进驾驶辅助系统）系统，并被广泛认为是全自动驾驶汽车的必要使能技术。此外，固态LiDAR则凭借其经济性、可靠性和相比机械LiDAR更紧凑的尺寸，已经作为未来商业化LiDAR系统的领导者而逐渐兴起。
 
 
 
在LiDAR系统中，脉冲激光器的开关速度和上升时间直接影响着LiDAR的测量精度。为了提高分辨率，电流需要尽可能快地切换通过激光器二极管。GaN技术凭借其极低的输入电容，及其相比MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）显著更快的开关速度，为LiDAR系统提供了更高的分辨率和更快的响应时间。
 
GaN FET必须由非常快的驱动器来控制，以最大化它们的快速开关潜力。更高的开关速度要求驱动器具有快速的上升时间和更低的最小输出脉冲宽度。PE29101具备这些关键的性能参数，能够帮助GaN技术提高LiDAR分辨率。
 
 
特性、封装、价格和供货
 
PE29101是一款控制GaN晶体管栅极的半桥FET驱动器。这款驱动器输出能够在高达40 MHz的开关应用中提供亚纳秒范围内的切换转换速度。PE29101的上升/下降时间为1 ns，100 pF load，最小输出脉冲宽度2 ns。其工作电压范围为4 V ~ 6.5 V，可支持80 V的高侧浮动电源电压。PE29101的输出拉电流（source current）为2A，输出灌电流（sink current）为4A。
 
PE29101提供倒装芯片封装，目前已可提供大规模量产的产品、样品和评估套件。1000颗订单量的单价为2.79美元。
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