梁孟松加入后 中芯14纳米FinFET制程良率达95%,预计2019量产
时间:2018-06-20 09:34来源:半导体观察IC
摘要:中芯国际最新的14纳米FinFET制程已接近研发完成阶段,其试产的良率已经可以达到95%的水准,距离2019年正式量产的目标似乎已经不远
据了解,根据中芯国际最新的财报显示,目前中芯国际最先进的制程为28纳米。但是以2018年第1季的财报数字来看,28纳米占其营收不过3.2%,相较联电、英特尔等先进制程发展较慢的厂商来说,落后的一个世代以上,更罔论与先进制程开发进度较快的台积电、格罗方德、三星等企业已经准备切入7纳米制程相较,更是足足落后3个世代以上。
为了追赶这样的落差,中芯国际不但在2017年底延揽三星电子及台积电的前高层梁孟松来担任联席首席执行长的职务,主要就是希望藉由他过去的经验,指导中芯国际在发展14纳米FinFET制程上的进程,使中芯国际的14纳米FinFET制程能在2019年达成量产的目标之外,还在2018年初宣布,将联同两大政府产业基金共同投资102.4亿美元,以加快14纳米及以下先进制程研发和量产计划,最终达成每月量产3.5万片的目标。如今,在中芯国际的14纳米FinFET制程达到良率95%的情况下,等于是向目标又迈进了一大步。
事实上,随着28纳米Poly/SiON制程技术成功量产,再加上2018年2月成功试产客户采用28纳米High-K/Metal Gate(HKMG)制程技术的产品,试产良率高达98%之后,与中国台湾地区晶圆代工厂商联电有着紧密合作关系的厦门联芯,在28纳米节点上的技术快速成熟。而这样的消息对当前代表大陆晶圆代工龙头的中芯来说,因为在28纳米HKMG制程良率一直不如预期,而且在过去14纳米FinFET制程上又无法突破的情况下,几乎要拱手让出大陆晶圆代工龙头的位置。如今,在14纳米FinFET制程技术上取得了突破,并向量产目标迈开脚步,才让中芯国际再保住龙头的位置。
此外,除了对内与联芯的竞争外,中芯国际在14纳米FinFET制程上的突破,也象征着拉近了与国际一线晶圆代工大厂的距离。除了台积电、格罗方德、三星都在积极布局7纳米制程,并且最快2018年底前就能有产品出现之外,包括联电、英特尔都还在14纳米节点的位置上。尤其是英特尔,在14纳米制程上,预计还将使用到2019年后。在这方面来说,未来一旦中芯国际14纳米FinFET制程正式进入量产,则大陆市场上目前交由海外代工的产品,就有可能由中芯国际进行代工。对中芯国际来说会是利多,但对其他的竞争对手而言就可能不是太好的消息。
根据业内消息人士指出,虽然过去曾有大基金拟向格罗方德购买技术,强化中芯国际14纳米FinFET制程的消息。但是,这次似乎是梁孟松及其他所带领的团队发挥的作用,进一步将中芯国际的14纳米制程拉上。只是,消息人士也指出,这事情光靠梁孟松一人并不可能办到,而是梁孟松过去从台湾及韩国带走的相关人员一起努力的结果。所以,中心国际线在已经达到了14纳米研发成功的阶段,下一阶段就必须看14纳米制程能为公司带来多少效益了。
据悉,2017年下半年中芯国际延揽前三星电子(Samsung Electronics)、台积电技术高层梁孟松后,首次于线上法说会中现“声”说法,他表示非常看好中芯在产业中的机会与位置,但也深具挑战;针对外界最关心的高阶制程进度,共同执行长赵海军表示,先进制程14纳米FinFET将于2019年量产,第二代28纳米HKMG制程也会于2018年底问世,外界都睁大眼睛等着检视成绩单。
针对外界询问梁孟松加入中芯国际的最大任务,众所皆知是高阶制程技术的进度。中芯表示,将在2019年量产14纳米FinFET制程技术。意即,梁孟松要用两年的时间,帮中芯国际把14纳米FinFET制程世代追上来,业界认为,很挑战,但不是不可能,因为已经准备很久了,很期待,也会持续关注。
除了先进制程的布局,随着梁孟松的加入而大踩油门往前冲之外,中芯也表示,公司投入快闪存储器NOR Flash、微控制器(MCU)、传感器CMOS Sensor、高压(HV)等制程技术平台,这些都是用到既有成熟制程的fab filter产品,且95%的机台是相容于逻辑制程,可以根据客户对于需求来规划,做产能调配。
展望未来,中芯国际表示,这两年是进入了过渡期,为下一阶段的成长把技术和产能备妥,而短期方面,看好的成长动力包括28纳米制程、快闪存储器、指纹辨识芯片、电源管理芯片等,会持续将资源聚焦在关键的技术平台。
18年资本开支计划
晶圆代工属于重资本行业,生产线的规模化、产品制程的先进化是企业的“护城河”,最新制程晶圆技术的掌握,将带给企业先发优势及价格优势,但这都是通过大量的资本研发投入实现的,新产能的扩充也将带来折旧费用使企业业绩承压, 就中芯国际而言,2017年,税息折旧及摊销前利润约11.2亿美元,同比增长约5.2%,创下历史新高。 但为了抢占技术高地及市场份额,产能的扩充与研发的投入将势在必行,放弃这两项投入,也就等于放弃了未来。
在2018年,公司对重大资本开支做了详细规划,预计资本开支约为19亿美元,主要用于:1.扩充拥有大部分权益的北京300mm晶圆厂、北京300mm晶圆厂、上海200mm晶圆厂、 上海300mm晶圆厂及江阴凸块厂;2.天津的新项目;3.拥有大部分权益的附属公司将聚焦于14纳米FinFET技术的研发。 中芯国际有望在2018年于产能及先进制程研发再进一步。
先进制程的追赶
中芯国际的2018,注定是变革的一年,在智能手机增速放缓的行业环境下,行业增长动力转向由先进制程的高性能运算产品为主,成熟制程的竞争愈加剧烈,价格压力远大于预期,这也是由于公司在先进制程技术方面的落后造成的, 如下所示为2017年各季度的毛利率情况,由于行业内竞争加剧,第四季度,中芯国际毛利率已下滑至18.9%。
晶圆代工厂数目众多,按照技术可分为三个梯队。 第一梯队:台积电、三星、Intel,掌握了10nm的高端制程量产技术;第二梯队主要有格罗方德(Global Foundries)、联电(UMC)等,在高端14nm上有小规模的量产,28nm制程算是完全成熟 ;第三梯度主要是中芯国际,28nm已实现量产,但是良率较低,40nm制程完全成熟。 所以,在行业环境主导力量发生变化时,工艺制程落后龙头代工企业2-3代的中芯国际显得较为吃力。
28nm晶圆的扩大生产是公司2017年的主要增长动力之一,来自28nm的收入占比从年初的5%迅速攀升至年底的11.3%。 其中,28nm的HKMG(金属栅+高K栅介质)已在2017年完成产能爬坡,改良版HKC+预计2018年投产,而针对14nm FinFET技术目前正处于研发阶段,预计2019年上半年量产。
估值方面,截止4月4日收盘,PE(TTM)为35.8倍,是港股市场中同行业最高的,以历史估值相比较,中芯国际目前PE也处于2014年来高位,这其中不乏投资者对梁孟松博士加盟后对14nm技术研究进度的看好。 但在缩小与产业龙头技术上的差距之前,中芯国际仍将面临现有制程的剧烈竞争,价格压力将影响公司业绩。
对于中芯国际来说,2018充满挑战,能否沉淀后“振翅高飞”,就看14nm先进制程的研究结果了。
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